Nanoscopic studies on the mechanism of the ferromagnetism in GaMnAs
Nanoscopic studies on the mechanism of the ferromagnetism in GaMnAs
批准号:
26790039
负责人:
kaku shigeru
金额:
$2.33万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2017-03-31
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Study of spin properties on GaMnAs(110) surface by STM/SP-STM
STM/SP-STM研究GaMnAs(110)表面自旋特性
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Kaku, T. Ando, K. Imamiya, and J. Yoshino]
通讯作者:
and J. Yoshino
X-STM measurements of band bending across GaAs/AlAs heterojunction
GaAs/AlAs 异质结能带弯曲的 X-STM 测量
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Kaku, M. Tsukui, T. Ando, and J. Yoshino]
通讯作者:
and J. Yoshino
Scanning mode manipulation of Ga adatom on GaAs(110) surface
GaAs(110)表面Ga吸附原子的扫描模式操控
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Kaku, K. Imamiya, T. Ando, J. Yoshino]
通讯作者:
J. Yoshino
Magnetic Anisotropy Constants and Anisotropic Magneto-Resistances in GaMnAs Depending on Layer Thickness
GaMnAs 中的磁各向异性常数和各向异性磁阻取决于层厚度
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
Proceedings of the International Symposium on Science Explored by Ultra Slow Muon (USM2013)
影响因子:
--
作者:
[Daiki Nozaki, Shigeru Kaku, and Junji Yoshino]
通讯作者:
and Junji Yoshino
STM/STS measurements of local electronic states on Mn impurities on GaAs(110) surface/subsurface
GaAs(110) 表面/次表面上 Mn 杂质的局部电子态的 STM/STS 测量
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Kaku, M. Tsukui, M. Hiraoka, J. Yoshino]
通讯作者:
J. Yoshino
共 17 条
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稀土元素Y的选择性氧化致Mg-Zn-Y-Zr合金表面层组织演变及耐蚀性改善机制的研究
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批准号:2026JJ50467
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:吴落义
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依托单位:
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批准号:2026JJ50514
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:黄柯文
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依托单位:
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准号:2026JJ90021
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依托单位:
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项目类别:省市级项目
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准号:2026JJ80818
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依托单位: