Nanoscopic studies on the mechanism of the ferromagnetism in GaMnAs

GaMnAs铁磁性机理的纳米研究

• 批准号: 26790039
• 负责人: kaku shigeru
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26790039/
• 关键词: スピントロニクス; 表面; ナノ; 走査プローブ顕微鏡; 磁性半導体; スピン; 超高真空; 希薄磁性半導体; スピンエレクトロニクス

项目成果

Study of spin properties on GaMnAs(110) surface by STM/SP-STM

STM/SP-STM研究GaMnAs(110)表面自旋特性

• 发表时间: 2016
• 作者: S. Kaku;T. Ando;K. Imamiya;and J. Yoshino
• 通讯作者: and J. Yoshino

X-STM measurements of band bending across GaAs/AlAs heterojunction

GaAs/AlAs 异质结能带弯曲的 X-STM 测量

• 发表时间: 2015
• 作者: S. Kaku;M. Tsukui;T. Ando;and J. Yoshino
• 通讯作者: and J. Yoshino

Scanning mode manipulation of Ga adatom on GaAs(110) surface

GaAs(110)表面Ga吸附原子的扫描模式操控

• 发表时间: 2017
• 作者: S. Kaku;K. Imamiya;T. Ando;J. Yoshino
• 通讯作者: J. Yoshino

Magnetic Anisotropy Constants and Anisotropic Magneto-Resistances in GaMnAs Depending on Layer Thickness

GaMnAs 中的磁各向异性常数和各向异性磁阻取决于层厚度

• 发表时间: 2014
• 期刊: Proceedings of the International Symposium on Science Explored by Ultra Slow Muon (USM2013)
• 作者: Daiki Nozaki;Shigeru Kaku;and Junji Yoshino
• 通讯作者: and Junji Yoshino

STM/STS measurements of local electronic states on Mn impurities on GaAs(110) surface/subsurface

GaAs(110) 表面/次表面上 Mn 杂质的局部电子态的 STM/STS 测量

• 发表时间: 2016
• 作者: S. Kaku;M. Tsukui;M. Hiraoka;J. Yoshino
• 通讯作者: J. Yoshino