Erzeugung von sub-100nm-Strukturen mittels optischer Lithographie sowie der nichtlinearer Abregung von Molekülen durch stimulierte Emission

在DER KLASSSCHEN平版印刷中，最初的模片吸收是电子缠绕在模片聚合中的光子，而L的模片则是光影。Bi Anwendungen麻省理工学院发现了材料和组织的光电子技术，以此为基础的光刻技术，以紫外光许可，以麻省理工学院的电子技术。麻省理工学院的能源和能源许可证是从阿贝-Kriterium限制。从20个纳米灯泡的表面上看，所有的刺激发射(STED=受激发射耗尽)都是已知的。在100 nm以下的光刻机上进行了模拟光刻。我们在这里宣传光刻技术，包括光刻师和拉森光刻师。在ZweiPhoonenmikroskopie(ETWA 200 Nm)和STED-Mirkoskopie(20 Nm)中，Gegenüber der ZweiPhoonenmikroskopie sollte eine deutlich Verlitsionale AuflöSong erreichbar sein，ähnlich dem verhältnis der Auflösungsgrenzen(Etwa 200 Nm)。物理光刻、化学光刻和光学光刻将会详细地描述每一件事。

In der klassischen Lithographie initiiert die Absorption eines Photons oder Elektrons entweder die Polymerisation oder die Erhöhung der Löslichkeit des Photolacks. Bei Anwendungen mit empfindlichen Materialien wie der organischen Optoelektronik oder der Biomedizin ist eine Lithographie mit hartem UV Licht oder mit Elektronen nicht möglich. Mit weniger energiereichem sichtbarem Licht ist die Auflösung aber durch das Abbe-Kriterium limitiert. Durch den nichtlinearen Prozeß der Abregung höherer molekularer Niveaus durch die stimulierte Emission (STED = Stimulated Emission Depletion) konnte in der optischen Mikroskopie eine Auflösung unterhalb von 20 Nanometern erzielt werden. Analog soll nun auch in der optischen Lithographie eine Auflösung weit unter 100nm erreicht werden. Ein weiterer Vorteil der hier propagierten STED-Lithographie gegenüber der klassischen Lithographie ist, daß sich damit dreidimensionale Strukturen erzeugen lassen. Gegenüber der Zweiphotonen-Lithographie sollte eine deutlich verbesserte dreidimensionale Auflösung erreichbar sein, ähnlich dem Verhältnis der Auflösungsgrenzen in der Zweiphotonenmikroskopie (etwa 200 nm) und der STED - Mirkoskopie (20 nm). Auf physikalische, chemische und optische Prozesse der STED - Lithographie wird detailliert eingegangen.