Erzeugung von sub-100nm-Strukturen mittels optischer Lithographie sowie der nichtlinearer Abregung von Molekülen durch stimulierte Emission

在分类光刻中，光子或电子的吸收开始于聚合或光包的Löslichkeit的Erhöhung。采用有机光电或生物医学等先进材料的光刻技术是一种紫外光或电子光刻技术。尽管光的能量很小，但光的能量是有限的。在20纳米韦尔登的光学微镜中，通过刺激发射（STED =受激发射损耗），可以获得更高分子量的Niveaus。在光学光刻中，模拟溶液也可以在100 nm韦尔登下发光。一个新的传播STED-Lithographie的Vorteil gegenüber klassichen Lithographie ist，davidimit dreidimensional Strukturen erzeugen lassen。Zweiphotonen-Lithographie解决了一个非常复杂的三维Auflösungerreichbar sein，它将Auflösungsozen的Verhältnis引入Zweiphotonenmikroskopie（200 nm）和STED - Mirkoskopie（20 nm）。从物理、化学和光学的角度对STED光刻进行了详细的研究.

In der klassischen Lithographie initiiert die Absorption eines Photons oder Elektrons entweder die Polymerisation oder die Erhöhung der Löslichkeit des Photolacks. Bei Anwendungen mit empfindlichen Materialien wie der organischen Optoelektronik oder der Biomedizin ist eine Lithographie mit hartem UV Licht oder mit Elektronen nicht möglich. Mit weniger energiereichem sichtbarem Licht ist die Auflösung aber durch das Abbe-Kriterium limitiert. Durch den nichtlinearen Prozeß der Abregung höherer molekularer Niveaus durch die stimulierte Emission (STED = Stimulated Emission Depletion) konnte in der optischen Mikroskopie eine Auflösung unterhalb von 20 Nanometern erzielt werden. Analog soll nun auch in der optischen Lithographie eine Auflösung weit unter 100nm erreicht werden. Ein weiterer Vorteil der hier propagierten STED-Lithographie gegenüber der klassischen Lithographie ist, daß sich damit dreidimensionale Strukturen erzeugen lassen. Gegenüber der Zweiphotonen-Lithographie sollte eine deutlich verbesserte dreidimensionale Auflösung erreichbar sein, ähnlich dem Verhältnis der Auflösungsgrenzen in der Zweiphotonenmikroskopie (etwa 200 nm) und der STED - Mirkoskopie (20 nm). Auf physikalische, chemische und optische Prozesse der STED - Lithographie wird detailliert eingegangen.