Direct cracking of hydrocarbon fuel by hot electron injection using graphene planar type electron source and its application for hydrogen production
Direct cracking of hydrocarbon fuel by hot electron injection using graphene planar type electron source and its application for hydrogen production
批准号:
22K18800
负责人:
村上 勝久
金额:
$4.16万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份:
2022
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2022-06-30 至 2025-03-31
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本研究は、申請者がこれまで独自に開発してきた大気中・液体中で動作可能なグラフェン/酸化膜/半導体積層構造の超高効率平面型電子放出デバイス(グラフェン電子源)を用いて、分子との非弾性散乱の効果が高い10~30 eV帯のホットレクトロンを100mA/cm^2の高電流密度で室温常圧の液体材料やガス材料に直接注入した際の分子の分解・活性化・反応機構を解明し、電子の能動制御によって分子の分解・活性化を高精度で制御可能にする革新的な化学反応システムを構築することを目的としている。更に、提案する化学反応システムを用いて、エタノールなど炭化水素材料を原料とした二酸化炭素排出フリー水素発生機構の解明も試みる。本年度はグラフェン電子源の酸素耐性向上に向けた酸素耐性保護膜の開発と、電子線による炭化水素燃料分解反応解明に向けた、液中電子線照射装置の開発を実施した。グラフェン電子源の酸素耐性保護膜材料には酸素耐性と高い電子透過性の両立が重要であり、これらの条件を満たす材料としてh-BNの酸素耐性と電子透過性を評価した。グラフェン電子源の電子放出面に転写法により単層h-BNを貼り付けて、酸素プラズマ照射前後での電子放出特性を評価したところ、酸素プラズマ照射後も動作することが分かった。また、電子放出効率も保護膜無しのグラフェン電子源と同等であり、高い電子透過性を有することがわかった。これらの成果をACS Omegaで発表した。液中電子線照射装置に関しては、多層グラフェンを用いた真空隔壁を開発し、隔壁を通して準大気圧中(10^-4Pa)に最大約80nAの電子線を注入可能であることを確認した。
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デバイス技術研究部門カスタムデバイスグループ
器件技术研究部定制器件组
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Development of direct synthesis of h-BN on Si substrate and planar type electron emission device using graphene/h-BN/Si heterostructure
利用石墨烯/h-BN/Si异质结构在Si衬底上直接合成h-BN及平面型电子发射器件的开发
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Masaya Yamamoto, Hiromasa Murata, Masayoshi Nagao, Hidenori Mimura, Yoichiro Neo, Katsuhisa Murakami]
通讯作者:
Katsuhisa Murakami
GIS構造電子源におけるグラフェンの電子透過のシミュレーション
GIS结构电子源中石墨烯电子传输模拟
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
信学技報
影响因子:
--
作者:
[若家冨士男, 寺門大地, 河嶋祥吾, 阿保智, 長尾昌善, 村上勝久]
通讯作者:
村上勝久
Si基板上h-BN直接成膜技術とgraphene/h-BN/Si積層型平面電子源の開発
Si衬底上h-BN直接沉积技术及石墨烯/h-BN/Si堆叠平面电子源的开发
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[山本将也, 村田博雅, 長尾昌善, 三村秀典, 根尾陽一郎, 村上勝久]
通讯作者:
村上勝久
グラフェン平面電子源のエタノール中動作による水素発生
在乙醇中操作石墨烯平面电子源制氢
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[村上勝久, 村田博雅, 長尾昌善]
通讯作者:
長尾昌善
共 12 条
原子層物質/高温超伝導体積層構造を用いた超コヒーレント電子放出デバイスの開発
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批准号:24K00954
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.9万
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财政年份:2024
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负责人:村上 勝久
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依托单位:
Development of direct synthesis of h-BN and highly monochromatic electron emission devices using stacking structure of atomic layered materials
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批准号:21H01401
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.56万
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财政年份:2021
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负责人:村上 勝久
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依托单位:
ナノ間隙冷陰極の作製と電子波干渉の観測
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批准号:05J09569
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2005
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负责人:村上 勝久
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依托单位:
海外基金