Gibbs-Thomson溶媒が拓く超速エピタキシーの新展開
Gibbs-Thomson溶媒が拓く超速エピタキシーの新展開
批准号:
22K18306
负责人:
吉川 健
金额:
$16.56万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
财政年份:
2022
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2022-06-30 至 2025-03-31
中文摘要
本研究では、成長結晶の微粒子を分散した溶媒の有するGibbs-Thomson効果が創出する超成長場のプロセスサイエンスの解明に取り組み、Gibbs-Thomson溶媒利用超速エピタキシーの新学理を築くとともに、SiC、硫化スズ、酸化ガリウム混晶に本手法を応用し、広範な材料への応用可能性を実証する。SiC結晶については、本助成研究の実施以前からの研究を引き続き実施するとともに、とりわけ本成長におけるSiC結晶の成長について、微粒子の溶媒への溶解と拡散を交互解析する有限要素法モデルを構築し、見かけの界面エネルギーを検討因子とした成長速度予測・解析を可能とした。また、酸化ガリウム混晶の成長に用いるレーザー加熱系の実験設備の整備を完了し、酸化ガリウム粒子の溶融が瞬時に行えることを確認した。
英文摘要
本研究では、成長結晶の微粒子を分散した溶媒の有するGibbs-Thomson効果が創出する超成長場のプロセスサイエンスの解明に取り組み、Gibbs-Thomson溶媒利用超速エピタキシーの新学理を築くとともに、SiC、硫化スズ、酸化ガリウム混晶に本手法を応用し、広範な材料への応用可能性を実証する。SiC結晶については、本助成研究の実施以前からの研究を引き続き実施するとともに、とりわけ本成長におけるSiC結晶の成長について、微粒子の溶媒への溶解と拡散を交互解析する有限要素法モデルを構築し、見かけの界面エネルギーを検討因子とした成長速度予測・解析を可能とした。また、酸化ガリウム混晶の成長に用いるレーザー加熱系の実験設備の整備を完了し、酸化ガリウム粒子の溶融が瞬時に行えることを確認した。
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会议论文
高温溶液成長の3DxTイメージングとフェーズフィールドアナリシス
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批准号:24H00384
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$30.95万
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财政年份:2024
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负责人:吉川 健
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依托单位:
溶融合金を溶媒に用いたシリコンカーバイド半導体の低温結晶成長
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批准号:18860050
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
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资助金额:$1.8万
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财政年份:2006
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负责人:吉川 健
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依托单位:
海外基金