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Atomar maßgeschneiderte Grenzflächen in ultradünnen ferroelektrischen Heterostrukturen - Charakterisierung der elektrischen Nanostrukturen mit Elektronenholographie

超薄铁电异质结构中的原子定制界面 - 利用电子全息术表征电纳米结构

基本信息

批准号：
85296458
负责人：
Professor Dr. Hannes Lichte
金额：
--
依托单位：
Professur für Physikalische Messtechnik (aufgelöst)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2008
资助国家：
德国
起止时间：
2007-12-31 至 2012-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/85296458?language=en
关键词：
Atomar ma geschneiderte Grenzfl chen

项目摘要

Mittels der höchstauflösenden Elektronenholographie soll die elektrische Struktur von dünnen ferro-elektrischen Schichten bestimmt werden, die in nicht-ferroelektrische Schichten eingebettet sind. Die-se Schichten werden im Teilprojekt Dittmann hergestellt und im Teilprojekt Mayer/Jia mit analytischer und hochauflösender (S)TEM-Mikroskopie charakterisiert. Von besonderem Interesse für Herstellung und Leistungsfähigkeit von mikrostrukturierten Ferroelektrika ist die Charakterisierung von Domänen in Nanometer-Dimensionen, die sich in Abhängigkeit von Material, Schichtdicke, aufgewachsenen Elektroden und Störungen im Grenzbereich Elektrode-Ferroelektrikum beispielsweise durch Misfit-Versetzungen ausbilden. Besonderes Interesse unseres Teilprojekts gilt den Abschirm- und Kompen-sationseffekten an den Grenzflächen und dem entsprechenden Verlauf des elektrischen Feldes über ein Schichtsystem. Besondere Herausforderungen ergeben sich daraus, dass die Phase der hologra-phisch rekonstruierten Welle von einer Vielfalt von Eigenschaften des Objektes moduliert wird, so dass eine eindeutige Interpretation der ferroelektrischen Eigenschaften schwierig ist. Die Lösung die-ser Probleme ist das Hauptanliegen dieses Antrags.

最高电子全息照相的中间部分是由韦尔登测量的电结构，在非铁电Schichten中测量。该Schichten韦尔登在Dittmann的Teilprojekt hergestellt和Mayer/Jia的Teilprojekt中具有分析和hochauflösender（S）TEM-Mikroskopie特征。Von besonderem Interesse für Herstellung und Leistungsfähigkeit von mikrostrukturierten Ferroelektrika ist die Charakterisierung von Domänen in Nanometer-Exclusionen，die sich in Abhängigkeit von Material，Schichtdicke，aufgewachsenen Elektroden und Störungen im Greneirreich Elektrode-Ferroelektrikum beispielsweise durch Misfit-Versetzungen ausbilden. Besonderes Interesse unseres Teilprojekts gilt den Abschirm- und Kompen-sationseffekten an den Grenzflächen und dem entsprechenden Verlauf des elektrischen Feldes über ein Schichtsystem.在此基础上，全息相位的韦勒将由一个由物体模化的本征值组成的虚函数来解释，因此，铁电本征值的虚函数解释是一个独立的解释。Lösung的问题是主战场的陷阱。