Current-enhanced CVD and annealing of multilayer graphene for reduction of resistance
Current-enhanced CVD and annealing of multilayer graphene for reduction of resistance
多层石墨烯的电流增强 CVD 和退火以降低电阻
批准号：
26420319
负责人：
Ueno Kazuyoshi
金额：
$2.25万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2018-03-31
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Effect of current stress during thermal CVD of multilayer graphene on cobalt catalytic layer
多层石墨烯热CVD过程中电流应力对钴催化层的影响
多层石墨烯热CVD过程中电流应力对钴催化层的影响
DOI：
10.7567/jjap.55.04ec13
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[K. Ueno, H. Ichikawa, T. Uchida]
通讯作者：
T. Uchida
Improvement of multilayer graphene crystallinity by solid-phase precipitation with current stress application during annealing
退火过程中施加电流应力，通过固相沉淀改善多层石墨烯结晶度
退火过程中施加电流应力，通过固相沉淀改善多层石墨烯结晶度
DOI：
10.7567/jjap.55.06jh02
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Md. S. Uddin, H. Ichikawa, S. Sano, K. Ueno]
通讯作者：
K. Ueno
芝浦工業大学 電子工学科 ナノエレクトロニクス研究室ホームページ
芝浦工业大学电子工程系纳米电子实验室主页
芝浦工业大学电子工程系纳米电子实验室主页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
#研究発表
研究报告
研究报告
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Improvement of multilayer graphene (MLG) / n-GaN Schottky diode properties fabricated with transfer-free deposition of MLG on n-GaN by solid-phase reaction
通过固相反应在 n-GaN 上无转移沉积 MLG 来改善多层石墨烯 (MLG)/n-GaN 肖特基二极管的性能
通过固相反应在 n-GaN 上无转移沉积 MLG 来改善多层石墨烯 (MLG)/n-GaN 肖特基二极管的性能
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Ichikawa, K. Ueno, Uddin Md. Sahab and Ueno Kazuyoshi]
通讯作者：
Uddin Md. Sahab and Ueno Kazuyoshi
共 13 条
Process temperature and resistance reduction for solid-phase deposition of multi-layer graphene by current application
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批准号：18K04289
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.08万
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财政年份：2018
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负责人：Ueno Kazuyoshi
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依托单位：
海外基金