Current-enhanced CVD and annealing of multilayer graphene for reduction of resistance

多层石墨烯的电流增强 CVD 和退火以降低电阻

• 批准号: 26420319
• 负责人: Ueno Kazuyoshi
• 金额: $ 2.25万
• 依托单位: Shibaura Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420319/
• 关键词: グラフェン配線; 化学的気相成長; 固相析出; 電流印加; エレクトロマイグレーション; 低温プロセス; 結晶性; 集積回路; グラフェン形成; 低温化; 電流印加アニール; 結晶性改善; 電流密度; 直接堆積; 配線; 均一性改善; グラフェン; アニール; 電流ストレス; 膜質向上

项目成果

Effect of current stress during thermal CVD of multilayer graphene on cobalt catalytic layer

多层石墨烯热CVD过程中电流应力对钴催化层的影响

• DOI: 10.7567/jjap.55.04ec13
• 发表时间: 2016
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: K. Ueno;H. Ichikawa;T. Uchida
• 通讯作者: T. Uchida

Improvement of multilayer graphene crystallinity by solid-phase precipitation with current stress application during annealing

退火过程中施加电流应力，通过固相沉淀改善多层石墨烯结晶度

• DOI: 10.7567/jjap.55.06jh02
• 发表时间: 2016
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Md. S. Uddin;H. Ichikawa;S. Sano;K. Ueno
• 通讯作者: K. Ueno

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#研究発表

研究报告

Improvement of multilayer graphene (MLG) / n-GaN Schottky diode properties fabricated with transfer-free deposition of MLG on n-GaN by solid-phase reaction

通过固相反应在 n-GaN 上无转移沉积 MLG 来改善多层石墨烯 (MLG)/n-GaN 肖特基二极管的性能

• 发表时间: 2017
• 作者: H. Ichikawa;K. Ueno;Uddin Md. Sahab and Ueno Kazuyoshi
• 通讯作者: Uddin Md. Sahab and Ueno Kazuyoshi