Process temperature and resistance reduction for solid-phase deposition of multi-layer graphene by current application

当前应用的多层石墨烯固相沉积的工艺温度和电阻降低

基本信息

  • 批准号：
    18K04289
  • 负责人：
    Ueno Kazuyoshi
  • 金额：
    $ 2.08万
  • 依托单位：
    Shibaura Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2018
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2018-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（36）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Low-temperature synthesis of multilayer graphene directly on SiO2 by current-enhanced solid-phase deposition using Ni catalyst
Effect of Current on Ni Catalyst Layer Used for Current-Enhanced CVD of Multilayer Graphene
Efficient MoCl5 intercalation doping of multilayer graphene for low-resistance and low-damage
多层石墨烯的高效 MoCl5 插层掺杂，实现低电阻和低损伤
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    2)Ekkaphop Ketsombun;Kazuyoshi Ueno
  • 通讯作者：
    Kazuyoshi Ueno
窒素添加ニッケル触媒を用いた電流印加固相析出法による多層グラフェン形成
使用氮掺杂镍催化剂通过电流固相沉淀形成多层石墨烯
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    泉沢　錬;小早川　祥輝;上野　和良
  • 通讯作者：
    上野　和良
Synthesis of Nintrogen-doped Multilayer Graphene Film by Solid-Phase Deposition Using Co-N Catalyst
Co-N催化剂固相沉积法合成氮掺杂多层石墨烯薄膜
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Yamanashi;S. Nakaishi;and N. Yoshikawa;高橋 明日香，　辻　寧英;Yuki Fujishima and Kazuyoshi Ueno
  • 通讯作者：
    Yuki Fujishima and Kazuyoshi Ueno
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    1.5
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    Nakajima Shun;Wasai Yoko;Kawahara Kenji;Nabatova-Gabain Nataliya;Gomasang Ploybussara;Ago Hiroki;Akinaga Hiroyuki;Ueno Kazuyoshi
  • 通讯作者：
    Ueno Kazuyoshi

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