Fabrication of GaN-based resonant tunneling diodes and investigation of their terahertz oscillation
Fabrication of GaN-based resonant tunneling diodes and investigation of their terahertz oscillation
GaN基谐振隧道二极管的制备及其太赫兹振荡的研究
批准号：
26420332
负责人：
NAGASE Masanori
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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会议论文
DOI：
10.1109/ted.2014.2310473
发表时间：
2014-04
期刊：
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
[M. Nagase;T. Tokizaki]
通讯作者：
M. Nagase;T. Tokizaki
不揮発メモリ応用へ向けたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性の評価
用于非易失性存储器应用的 GaN/AlN 谐振隧道二极管的双稳态评估
用于非易失性存储器应用的 GaN/AlN 谐振隧道二极管的双稳态评估
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永瀬成範, 高橋言緒, 清水三聡]
通讯作者：
清水三聡
GaN/AlN共鳴トンネルダイオードで生じる双安定性の劣化メカニズム
GaN/AlN 谐振隧道二极管双稳态退化的机制
GaN/AlN 谐振隧道二极管双稳态退化的机制
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永瀬成範, 高橋言緒, 清水三聡]
通讯作者：
清水三聡
Development of high-speed nonvolatile memory using intersubband transitions in GaN-based resonant tunneling diodes
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批准号：17K06409
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2017
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负责人：NAGASE Masanori
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依托单位：
海外基金
