Fabrication of GaN-based resonant tunneling diodes and investigation of their terahertz oscillation

GaN基谐振隧道二极管的制备及其太赫兹振荡的研究

• 批准号: 26420332
• 负责人: NAGASE Masanori
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420332/
• 关键词: 窒化物半導体; 共鳴トンネルダイオード; テラヘルツ波; 双安定性; 窒化ガリウム; サブバンド間遷移; 双安定性メカニズム; 集積型アンテナ

项目成果

Bistability Characteristics of GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes Caused by Intersubband Transition and Electron Accumulation in Quantum Well

• DOI: 10.1109/ted.2014.2310473
• 发表时间: 2014-04
• 期刊: IEEE Transactions on Electron Devices
• 影响因子: 3.1
• 作者: M. Nagase;T. Tokizaki

不揮発メモリ応用へ向けたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性の評価

用于非易失性存储器应用的 GaN/AlN 谐振隧道二极管的双稳态评估

• 发表时间: 2017
• 作者: 永瀬成範;高橋言緒;清水三聡
• 通讯作者: 清水三聡

GaN/AlN共鳴トンネルダイオードで生じる双安定性の劣化メカニズム

GaN/AlN 谐振隧道二极管双稳态退化的机制

• 发表时间: 2015
• 作者: 永瀬成範;高橋言緒;清水三聡
• 通讯作者: 清水三聡