Development of high-speed nonvolatile memory using intersubband transitions in GaN-based resonant tunneling diodes
Development of high-speed nonvolatile memory using intersubband transitions in GaN-based resonant tunneling diodes
利用基于 GaN 的谐振隧道二极管的子带间跃迁开发高速非易失性存储器
批准号：
17K06409
负责人：
NAGASE Masanori
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2021-03-31
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高効率コンピューティングに向けた高速不揮発メモリの開発
开发用于高效计算的高速非易失性存储器
开发用于高效计算的高速非易失性存储器
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永瀬成範, 高橋言緒, 清水三聡]
通讯作者：
清水三聡
GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性の評価
使用 GaN/AlN 谐振隧道二极管评估非易失性存储器特性
使用 GaN/AlN 谐振隧道二极管评估非易失性存储器特性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永瀬成範, 高橋言緒, 清水三聡]
通讯作者：
清水三聡
GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性を用いた不揮発メモリの安定動作化
利用 GaN/AlN 谐振隧道二极管的双稳态实现非易失性存储器的稳定运行
利用 GaN/AlN 谐振隧道二极管的双稳态实现非易失性存储器的稳定运行
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永瀬成範, 高橋言緒, 清水三聡]
通讯作者：
清水三聡
Growth and Characterization of GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes for High‐Performance Nonvolatile Memory
用于高性能非易失性存储器的 GaN/AlN 谐振隧道二极管的生长和表征
用于高性能非易失性存储器的 GaN/AlN 谐振隧道二极管的生长和表征
DOI：
10.1002/pssa.202000495
发表时间：
2020
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
[Nagase Masanori, Takahashi Tokio, Shimizu Mitsuaki]
通讯作者：
Shimizu Mitsuaki
New nonvolatile memory using GaN-based resonant tunneling diodes
使用基于 GaN 的谐振隧道二极管的新型非易失性存储器
使用基于 GaN 的谐振隧道二极管的新型非易失性存储器
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永瀬成範, 高橋言緒, 清水三聡, Nagase Masanori]
通讯作者：
Nagase Masanori
共 12 条
Fabrication of GaN-based resonant tunneling diodes and investigation of their terahertz oscillation
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批准号：26420332
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2014
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负责人：NAGASE Masanori
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依托单位：
海外基金