Development of high-speed nonvolatile memory using intersubband transitions in GaN-based resonant tunneling diodes

利用基于 GaN 的谐振隧道二极管的子带间跃迁开发高速非易失性存储器

• 批准号: 17K06409
• 负责人: NAGASE Masanori
• 金额: $ 3万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06409/
• 关键词: 電子デバイス・機器; 窒化物半導体; 量子井戸; トンネル現象; 超高速情報処理

项目成果

高効率コンピューティングに向けた高速不揮発メモリの開発

开发用于高效计算的高速非易失性存储器

• 发表时间: 2020
• 作者: 永瀬成範;高橋言緒;清水三聡
• 通讯作者: 清水三聡

GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性の評価

使用 GaN/AlN 谐振隧道二极管评估非易失性存储器特性

• 发表时间: 2019
• 作者: 永瀬成範;高橋言緒;清水三聡
• 通讯作者: 清水三聡

GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性を用いた不揮発メモリの安定動作化

利用 GaN/AlN 谐振隧道二极管的双稳态实现非易失性存储器的稳定运行

• 发表时间: 2017
• 作者: 永瀬成範;高橋言緒;清水三聡
• 通讯作者: 清水三聡

Growth and Characterization of GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes for High‐Performance Nonvolatile Memory

用于高性能非易失性存储器的 GaN/AlN 谐振隧道二极管的生长和表征

• DOI: 10.1002/pssa.202000495
• 发表时间: 2020
• 期刊: physica status solidi (a)
• 作者: Nagase Masanori;Takahashi Tokio;Shimizu Mitsuaki
• 通讯作者: Shimizu Mitsuaki

New nonvolatile memory using GaN-based resonant tunneling diodes

使用基于 GaN 的谐振隧道二极管的新型非易失性存储器

• 发表时间: 2019
• 作者: 永瀬成範;高橋言緒;清水三聡;Nagase Masanori
• 通讯作者: Nagase Masanori