Investigation of formation mechanism of crystal defects induced by machining at the surface of single crystal SiC
Investigation of formation mechanism of crystal defects induced by machining at the surface of single crystal SiC
单晶SiC表面加工诱发晶体缺陷形成机制研究
批准号：
26420071
负责人：
ISHIKAWA Yukari
金额：
$3.24万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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会议论文
Fast removal of surface damage layer from single crystal diamond by using chemical etching in molten KCl + KOH solution
在熔融 KCl KOH 溶液中化学蚀刻快速去除单晶金刚石表面损伤层
在熔融 KCl KOH 溶液中化学蚀刻快速去除单晶金刚石表面损伤层
DOI：
10.1016/j.diamond.2015.10.003
发表时间：
2016
期刊：
Diamond & Related Materials
影响因子：
4.1
作者：
[Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, H. Yamada, A. Chayahara, Y.Mokuno]
通讯作者：
Y.Mokuno
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批准号：12610229
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.79万
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财政年份：2000
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负责人：ISHIKAWA Yukari
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依托单位：
海外基金
