Research on integrated two-wavelength semiconductor laser for frequency tunable coherent terahertz wave generation
Research on integrated two-wavelength semiconductor laser for frequency tunable coherent terahertz wave generation
集成双波长半导体激光器产生频率可调谐相干太赫兹波的研究
批准号：
26390083
负责人：
Uemukai Masahiro
金额：
$3.24万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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Fイオン注入と熱処理によるGaAsP歪量子井戸選択的無秩序化を用いた導波光伝搬損失低減
通过 F 离子注入和热处理，利用 GaAsP 应变量子阱选择性无序减少波导光学传播损耗
通过 F 离子注入和热处理，利用 GaAsP 应变量子阱选择性无序减少波导光学传播损耗
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[奥田真也, 上向井正裕, 栖原敏明]
通讯作者：
栖原敏明
ITO薄膜ヒータ装荷GaAsP歪量子井戸波長可変分布ブラッグ反射型レーザ
负载ITO薄膜加热器的GaAsP应变量子阱波长可调谐分布式布拉格反射激光器
负载ITO薄膜加热器的GaAsP应变量子阱波长可调谐分布式布拉格反射激光器
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[上向井正裕, 吉川靖人, 栖原敏明]
通讯作者：
栖原敏明
GaAsP歪量子井戸高次結合ディープエッチDBRレーザ
GaAsP 应变量子阱高耦合深蚀刻 DBR 激光器
GaAsP 应变量子阱高耦合深蚀刻 DBR 激光器
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山下諒大, 上向井正裕, 片山竜二]
通讯作者：
片山竜二
DOI：
10.7567/jjap.54.060302
发表时间：
2015-01
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[A. Saha;M. Uemukai;T. Suhara]
通讯作者：
A. Saha;M. Uemukai;T. Suhara
片山竜二 研究室
片山龙二研究所
片山龙二研究所
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 12 条
Development of semiconductor laser pumped nitride semiconductor waveguide nonlinear optical devices for squeezed light generation
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批准号：19H02631
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.9万
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财政年份：2019
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负责人：Uemukai Masahiro
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依托单位：
海外基金