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Development of semiconductor laser pumped nitride semiconductor waveguide nonlinear optical devices for squeezed light generation
用于压缩光产生的半导体激光泵浦氮化物半导体波导非线性光学器件的开发
基本信息
- 批准号：19H02631
- 负责人：
- 金额：$ 10.9万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（51）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
マルチ・スパッタアニール法による多層極性反転AlN構造の作製
多次溅射退火法制备多层极性反转AlN结构
- DOI：
- 发表时间：2023
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：玉野 智大;正直 花奈子;本田 啓人;上杉 謙次郎;肖 世玉;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;三宅 秀人
- 通讯作者：三宅 秀人
HfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生
使用 HfO2/AlN 横向准相位匹配通道波导产生 230 nm 远紫外二次谐波
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：本田 啓人;正直 花奈子;上杉 謙次郎;三宅 秀人;芹田 和則;村上 博成;斗内 政吉;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二
- 通讯作者：片山 竜二
2層極性反転AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生
使用双层极性反转 AlN 横向准相位匹配通道波导产生 230 nm 远紫外二次谐波
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：本田 啓人;正直 花奈子;上杉 謙次郎;三宅 秀人;芹田 和則;村上 博成;斗内 政吉;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二
- 通讯作者：片山 竜二
Efficiency Evaluation of GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Wavelength Conversion Device under Femtosecond Laser Excitation
飞秒激光激励下GaN横向准相位匹配波长转换器件的效率评估
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Yokoyama;H. Honda;T. Murata;K. Serita;H. Murakami;M. Tonouchi*;S. Tokita;S. Ichikawa;Y. Fujiwara;M. Uemukai;T. Tanikawa and R. Katayama
- 通讯作者：T. Tanikawa and R. Katayama
Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device
用于 AlN 深紫外波导 SHG 器件的输入聚焦光栅耦合器
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：山内 あさひ;小松 天太;池田 和久;上杉 謙二郎;正直 花奈子;三宅 秀人;彦坂 年輝;布上 真也;森川 隆哉;藤原 康文;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;M. Uemukai，S. Yamaguchi，A. Yamauchi，D. Tazuke，A. Higuchi，R. Tanabe，T. Tanikawa，T. Hikosaka，S. Nunoue，Y. Hayashi，H. Miyake，Y. Fujiwara and R. Katayama;Y. Morioka，M. Uemukai，T. Tanikawa，K. Uesugi，K. Shojiki，H. Miyake2，T. Morikawa，Y. Fujiwara and R. Katayama
- 通讯作者：Y. Morioka，M. Uemukai，T. Tanikawa，K. Uesugi，K. Shojiki，H. Miyake2，T. Morikawa，Y. Fujiwara and R. Katayama
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks
边缘限定薄膜馈送生长 β-Ga2O3 衬底中纳米管的观察及其对同质外延表面小丘的影响
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2023 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Nishikawa Tomoka;Goto Ken;Murakami Hisashi;Kumagai Yoshinao;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji - 通讯作者：
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- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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高原淳一
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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- 批准号：
26390083 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 10.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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$ 10.9万 - 项目类别：
Discovery Projects
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- 批准号：
2336525 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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Standard Grant
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- 批准号：
2335175 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.9万 - 项目类别：
Cooperative Agreement
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- 批准号：
2342747 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.9万 - 项目类别：
Standard Grant
GRASP - GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION
GRASP - 绿色敏捷半导体生产
- 批准号：
10099437 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.9万 - 项目类别：
EU-Funded
格子緩和層とType-II型ヘテロ材料を用いた半導体レーザによる高温動作限界の打破
利用晶格弛豫层和II型异质材料突破半导体激光器的高温工作极限
- 批准号：
24K07610 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号：
2327229 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.9万 - 项目类别：
Standard Grant
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- 批准号：
2335588 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.9万 - 项目类别：
Standard Grant
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NSF 引擎：佛罗里达州中部半导体创新引擎
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2315320 - 财政年份：2024
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2347035 - 财政年份：2024
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