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シリコン/溶液界面における光励起・緩和過程への微細形態および導電性粒子担持の影響

精细形貌和导电颗粒负载对硅/溶液界面光激发和弛豫过程的影响

基本信息

批准号：
10131239
负责人：
尾形幸生
金额：
$ 1.02万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10131239/
关键词：
シリコンフッ酸界面現象多孔質光励起光電気化学金属析出

项目摘要

固体高分解能核磁気共鳴法を用いて、触媒担持系の基体候補である多孔質シリコンの微細構造や物性を支配する含有水素の結合状態の解明を試み、同法が多孔質シリコン表面状態の解析に有用であることを示した。すなわち、作成時の結合状態および酸化に伴う結合状態変化を共鳴ピークの帰属と線幅の解析から明らかにし、多孔質構造がアモルファス構造を示さず、結合配座分布をもつ結晶質からなるとの結論を得た。さらに、昇温水素脱離によって、歪んだ構造、すなわち(SiH)_2ダイマー構造が生成することを明らかにした。この多孔質シリコン(p型)を用いて、水素発生電位領域での光電気化学挙動を検討し、シリコン上の多孔質構造が光励起キャリア緩和過程における表面準位の寄与を低下させることを見いだした。シリコン基板上への貴金属の担持法を検討し、担持状態を解析するとともに、光励起緩和過程に及ぼす担持状態効果を評価した。さらに、多孔質表面への触媒担持についても検討を加えた。多孔質シリコン上へハロゲン化物水溶液からの置換めっきを行い、いわゆる貴金属のみが析出するが、ハロゲン化物イオンが析出の阻害要因となることを見いだし、阻害吸着機構を提案した。置換めっきおよび電気めっきにより白金を担持したp型平滑シリコン上の水素発生領域における光電気化学挙動を検討した。両者共に、平滑シリコンに比べ、大幅な光電流立ち上がり電位の向上を示した。特に、電気めっき試料については、立ち上がり電位が平滑白金電極より貴な電位にシフトした。加えて、形態観察により金属触媒の担持状態により触媒性が異なること、また強度変調光電流法(IMPS)測定により同様な光電極触媒性を示しても緩和過程が異なる場合があることが判明した。

The solid high decomposition energy nuclear magnetic resonance method is controlled by the fine structure and physical properties of the substrate candidate of the catalyst support system, porous silica The analysis of the bonded state of water containing water and the analysis of the surface state of porous silica are also useful and useful.すなわち、The bonding state at the time of creation およびAcidification に companion うThe bonding state changed をResonance ピークの帰と线width のANALYSIS から明らかにし, porous structure がアモルファス structure をshow さず, combined coordination distribution をもつcrystalline からなるとの Conclusion をget た.さらに, heated water detachment によって, crooked んだ structure, すなわち(SiH)_2 ダイマーstructure がgeneration することを明らかにした.このPorous シリコン(p type) をいて, Hydrogen generation potential field でのPhotoelectric 気chemistry を検し, シリコンThe upper porous structure is used to relax the process of light excitation and the surface level is lowered and the surface level is lowered. The holding method of precious metals on the シリコン substrate is based on the holding method, holding state analysis, light excitation relaxation process and holding state effect evaluation.さらに、Porous surface へのcatalyst supports についても検椒加えた. The aqueous solution of the porous sterilized compound is used for replacement and precipitation of precious metals.るが, となることを见いだし, the main reason for preventing the precipitation of ハロゲンイオンが, and the proposal to prevent the adsorption mechanism. Replacement めっきおよび电気めっきにより白金をholding したp-type smooth シリコン上の水智生区における光电気CHEMICAL 挙动を検 Discussion した.両There is a total of に, a smooth シリコンに比べ, and a large なphotocurrent riser and an upper がりpotential の上した. Special に, electric めっき sample については, standing ち upper がりが smooth platinum electrode よりki な potential にシフトした. The state of the metal catalyst, the state of the metal catalyst, the catalytic property of the metal catalyst, the different properties of the catalyst, and the intensity of the metal catalyst can be adjusted by the dimming current method ( IMPS) measurement shows that the catalytic properties of the photoelectrode are the same as the relaxation process.