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非晶質傾斜超格子を用いた極低雑音アバランシェ増幅型光導電膜の研究

非晶梯度超晶格超低噪声雪崩放大光电导薄膜研究

基本信息

批准号：
10123212
负责人：
澤田和明
金额：
$ 0.83万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

a-Si:H/a-Si_<1-x>C_x:H傾斜超格子アバランシェフォトダイオード薄膜において、入射したフォトンは、これまでの研究より、電子がこのバンドオフセット領域で,ほぼ100%の確率でインパクトイオン化を起こすことがわかった.本年度は、この傾斜超格子アバランシェフォトダイオード膜の雑音特性を評価した.一般的なアバランシェフォトダイオードでは増倍率が増加するに従い,アバランシェ増倍率の揺らぎに起因する過剰雑音:Fが発生する.根本的にアバランシェ増倍現象は統計的な事象であり,この揺らぎを避けられない.一方,傾斜構造を持つアバランシェフォトダイオードは、バンドオフセットの領域のみでインパクトイオン化を引き起こさせることが可能である.したがってインパクトイオン化の回数は傾斜構造の挿入段数で制御が可能であり,インパクトイオン化の回数の揺らぎはない.このことを明らかにするために,a-Si:H/a-Si_<1-x>C_x:H傾斜構造を持つアバランシェフォトダイオード、および傾斜を持たない通常のa-Si:Hアバランシェフォトダイオードの過剰雑音特性を評価した.その特性を図に示す.これらの過剰雑音は、フォトダイオードに逆バイアスを印加しているときに,波長500nmの単色光を照射し、そのときの光電流をFFT(高速フーリエ変換器)をもちいて測定している.通常のフォトダイオードでは増倍率が増加するにつれ,過剰雑音が増加しているのに対し、傾斜横造を有するフォトダイオードにおいては、過剰雑音係数は1で変化せず,過剰雑音を発生していないことがわかった.

a-Si:H/a-Si_<1-x>C_x:H inclined superlattice thin films are studied with 100% accuracy in the field of electron polarization. This year, we will evaluate the acoustic characteristics of the film. The common reason for the increase in magnification is that the magnification is increased. The fundamental phenomenon of multiplication is a statistical phenomenon. On the other hand, the inclined structure is not stable, and the field of the inclined structure is not stable. It is possible to control the number of inclined structures and the number of inclined sections. The a-Si:H/a-Si_<1-x>C_x:H tilt structure is characterized by the following characteristics: the a-Si:H tilt structure, the a-Si:H tilt structure, and the a-Si:H tilt structure. The characteristics of the system are shown below. In this case, the wavelength of 500nm of the single color light is irradiated, and the photocurrent is measured by FFT(high speed white light converter). Usually, the ratio increases, the noise increases, the tilt angle increases, the noise coefficient decreases, and the noise occurs.