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電界放出微小エミッタの新しい電子ビーム収束機構に関する研究

新型场发射微发射器电子束聚焦机构研究

基本信息

批准号：
08750397
负责人：
澤田和明
金额：
$ 0.7万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

エミッタ先端の電界を弱めることなしに電子を収束できる新しい電界放出微小エミッタの構造を提案した.本研究で提案するエミッタはゲート電極の同心円状に線状に配置し,またエミッタの外側に同心円上に収束電極を製作した構造を持っており,その形状からボルカノ型エミッタと名付けた.ボルカノ型エミッタから放出される電子は中心のゲート電極に向かって放出され,クロスオーバーして発散すると考えられ,収束電極に正電位を印加するとゲート電極に引っ張られて放出していた電子の軌道を偏向することができ,クロスオーバーの点をアノード点にコントロールすることが可能であると考えた.まずボルカノ型電界放出エミッタの製作プロセスの確立を行った.作製プロセスとして最も重要なところが,エミッタ電極となるポリシリコンの堆積条件であった.まず円状のマスクの下にはポリシリコン膜が少量回り込みような条件の抽出を行った.その結果,先端の膜厚およびエミッタの形状が最適となる条件を見つけることができた.このようにして製作したエミッタを用いて電界放出の実験を行ったところ,ゲート電圧35V程度から電子の放出が確認され,約50Vで10nAの放出電流が確認できた.このとき使用したエミッタの数は1個であった.次に収束電極をボルカノ型電界放出微小エミッタに配置した構造の有限要素法を用いてシミュレーションを行った.その結果,収束電極の位置は,ポリシリコンエミッタと同一の高さにすると,制御性良く収束することがわかった.

The electric field at the top of the spectrum is weak, and the electron beam is weak. This study proposes that the concentric circular shape of the electrode be arranged in a linear manner, and that the concentric circular shape of the electrode be formed in a continuous manner. The electron emitted from the beam electrode is emitted from the center of the beam electrode to the center of the beam electrode. The electron emitted from the beam electrode is emitted from the center of the beam electrode to the center of the beam electrode. The electron emitted from the beam electrode is emitted from the center of the beam electrode to the center of the beam electrode. It also shows that the establishment of a production platform for large-scale electronic industry releases has been completed. The most important factor is the accumulation condition of the electrode. A small amount of the film is extracted from the film. As a result, the film thickness of the tip is too thick to be shaped. The emission of electrons is confirmed at a voltage of 35V, and the emission current is confirmed at a voltage of about 50V and 10nA.このとき使用したエミッタの数は1个であった. The finite element method for the sub-beam electrode is used for the micro-beam electrode configuration. As a result, the position of the beam electrode is different from that of the beam electrode.