5ミクロン以上の赤外光に感度を持つ電界放出微小エミッタ型光電子放出デバイスの研究
5ミクロン以上の赤外光に感度を持つ電界放出微小エミッタ型光電子放出デバイスの研究
批准号:
09750381
负责人:
澤田 和明
金额:
$1.41万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 1998
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英文摘要
本研究では電界放出微小エミッタを用いて,これまでの技術では作製不可能であった、波長5μm以上の赤外光を高感度に検出できる電子放出デバイスを製作することを目的とした.MOSFETのドレイン領域に三極管構造の電界放出微小電子源を設け,ゲート領域には焦電体を配置する構造のデバイスを提案した.焦電材料はチョッピングなどを必要とするものの赤外光に感度が高く,室温で動作可能である.今回,赤外光受光部にはPZTの焦電体を配置しており,その焦電体の発生電圧がゲート印加電圧として働く.従って,MOSFETに流れる電流を焦電体に発生する電圧で制御することができる.微小電子源からの放出電流はMOSFETに流れる電流と等しいので,焦電体に入射する赤外光に依存した電子の放出が期待できる.三極管フィールドエミッタを真空チャンバ内に設置し,焦電センサの出力電圧で制御されたMOS型のトランジスタのドレインと電界放出微小電子源を接続する.今回の実験では,1Hzのチョッパを用いて入射赤外線を間欠的に遮断し測定した.放出電流の入射光量依存性は赤外波長約8μm一定で測定した. その結果,入射光量に対して,放出電流が比例していることがわかる.測定環境不備のため,現在のところ入射光量は任意目盛りで示した.さらに波長依存性を測定したところ,波長4μmから10μmの領域において,放出電流値が波長に依存性がないことが確認できた.
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K.Sawada他: "Photosensitive Field Emitters Including a-SiiH p-i-n Photodetector Region" IEEE Tran,Electron Devices. 45(1). 321-325 (1998)
K. Sawada 等人:“包括 a-SiiH p-i-n 光电探测器区域的光敏场发射器”IEEE Tran,电子设备 45(1) (1998)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Sawada他: "High Sensitive Photodetector using Field Emitter" Technical Digest of the 15th Sensor Symposium. 145-148 (1977)
K. Sawada 等人:“使用场发射器的高灵敏度光电探测器”第 15 届传感器研讨会技术文摘 145-148 (1977)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
澤田和明 他: "電界放出微小電子源型高感度光センサの広ダイナミックレンジ化" 映像情報メディア学会誌. 53(2). 275-281 (1999)
Kazuaki Sawada 等人:“基于场发射微电子源的宽动态范围高灵敏度光学传感器”图像信息和电视工程师学会杂志 53(2) (1999)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
澤田和明 他: "5ミクロン以上の赤外光を検出可能な電子放出デバイスの研究" 1998年映像情報メディア学会年次大会講演予稿集. ITE'98. 168-169 (1998)
Kazuaki Sawada 等人:“能够检测 5 微米或以上红外光的电子发射器件的研究”1998 年图像信息和电视工程师学会 ITE98 年会记录(1998)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Development of an Image Sensor System Capable of Simultaneous Visualization of Shear Stress and Extracellular Chemicals for Mechanobiology
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批准号:23H00182
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$29.7万
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财政年份:2023
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负责人:澤田 和明
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依托单位:
うつ発症機序の解明を目指したマウス前頭前野の長期in vivo2光子イメージング
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批准号:14J01625
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2014
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负责人:澤田 和明
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依托单位:
フィルタレス蛍光イメージセンサの実現
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批准号:16656108
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2004
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负责人:澤田 和明
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依托单位:
イメージセンサ技術を用いた超高感度バイオセンサアレイデバイスに関する研究
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批准号:13750306
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2001
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负责人:澤田 和明
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依托单位:
化学イメージセンサと光イメージセンサを併せた機能融合イメージデバイスの研究
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批准号:11750288
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1999
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负责人:澤田 和明
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依托单位:
非晶質傾斜超格子を用いた極低雑音アバランシェ増幅型光導電膜の研究
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批准号:10123212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1998
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负责人:澤田 和明
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依托单位:
電界放出微小エミッタの新しい電子ビーム収束機構に関する研究
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批准号:08750397
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1996
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负责人:澤田 和明
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依托单位:
量子効率1を越える電界放出微小エミッタ型超高感度光電面に関する研究
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批准号:07750385
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1995
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负责人:澤田 和明
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依托单位:
非晶質傾斜超格子を用いた極低雑音ブロッキング型アバランシェ増幅型光導電膜の研究
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批准号:05750287
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:澤田 和明
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依托单位:
非晶質グレーデッド超格子を用いた極低雑音超高感度アバランシェ増幅型光導電膜の研究
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批准号:04750248
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:澤田 和明
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依托单位:
体育社会学領域における多変量解析データ処理の実態に関する基礎的研究
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批准号:57580065
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1982
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负责人:澤田 和明
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依托单位: