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Low temperature crystallization of Si by metal-induced crystallization method
金属诱导晶化法低温晶化硅
基本信息
- 批准号：25289231
- 负责人：
- 金额：$ 12.15万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ag/mica上に蒸着したSiの影響によるAgの構造変化(II)
由于沉积在 Ag/云母上的 Si 的影响而导致 Ag 的结构变化 (II)
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：橋口 浩平;若林 陽介;稲瀬 陽介;神子 公男;弓野 健太郎
- 通讯作者：弓野 健太郎
Ge 結晶薄膜の低温合成： フレキシブルデバイスへの 応用を目指して
低温合成Ge晶体薄膜：旨在应用于柔性器件
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Matsunaga;M.-S. Kim;H. Nishikawa;M. Saito and J. Mizuno;M.Kamiko,R.Suenaga,J.W.Koo,K.Kyuno,Y.Mitsuda,J.G.Ha;K. Yamaura;弓野 健太郎
- 通讯作者：弓野 健太郎
AuによるGeのMIC法における熱処理温度および膜厚依存性
使用 Au 的 Ge 的 MIC 方法中的热处理温度和膜厚依赖性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：末永 容平;弓野 健太郎
- 通讯作者：弓野 健太郎
Au,Ge同時スパッタ法による結晶化Ge薄膜の作製
Au、Ge同步溅射法制备晶化Ge薄膜
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：三芝 直也;杉山 貴俊;神子 公男;弓野 健太郎
- 通讯作者：弓野 健太郎
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{{ truncateString('Kyuno Kentaro', 18)}}的其他基金
Study on the fluid phases on the surface of eutectic systems at room temperature
室温共晶体系表面流体相的研究
- 批准号：
15K14130 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 12.15万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
表面・界面物性制御による極低反射率結晶シリコン太陽電池の超高効率化
通过控制表面和界面物理性质实现超低反射率晶体硅太阳能电池的超高效率
- 批准号：
17J03077 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 12.15万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
強誘電体/シリコン機能調和材料の創成と表面・界面物性の解明
创建铁电/硅功能兼容材料并阐明表面和界面特性
- 批准号：
99J81803 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 12.15万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
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- 资助金额：
$ 12.15万 - 项目类别：
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光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
X00040----121121 - 财政年份：1976
- 资助金额：
$ 12.15万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
X00040----021815 - 财政年份：1975
- 资助金额：
$ 12.15万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research