Advanced research on semiconductor optical device materials by controlling phonon transport under non-thermal equilibrium state

非热平衡状态下控制声子输运的半导体光器件材料前沿研究

• 批准号: 25286048
• 负责人: Ishitani Yoshihiro
• 金额: $ 11.98万
• 依托单位: Chiba University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25286048/
• 关键词: フォノンエンジニアリング; 励起子; 結晶欠陥; 窒化物半導体; 光物性; フォノンダイナミクス; キャリアダイナミクス; 半導体物性; 結晶工学; 格子欠陥; フォノン; 量子井戸; 太陽電池; 発光デバイス; 時間分解PL; 時間分解計測; フォノン局在制御

项目成果

Dielectric absorption of s-polarized infrared light resonant to longitudinal optical phonon energy incident on lateral (0 0 0 1) GaN/Ti stripe structures

s 偏振红外光与入射到横向 (0 0 0 1) GaN/Ti 条带结构上的纵向光学声子能量共振的介电吸收

• DOI: 10.1088/0022-3727/48/9/095103
• 发表时间: 2015
• 期刊: Journal of Physics D: Applied Physics
• 作者: Y. Ishitani;Keisuke Hatta;K. Morita;B. Ma
• 通讯作者: B. Ma

Effect of Low Temperature Growth and a Distributed Bragg Reflector on the emission from Molecular Beam Epitaxy‐Grown Er δ‐doped GaAs

低温生长和分布式布拉格反射器对分子束外延生长 Er δ 掺杂 GaAs 发射的影响

• 发表时间: 2016
• 作者: K. Takamiya;M. Suto;K. Iimura;S. Yagi;H. Yaguchi
• 通讯作者: H. Yaguchi

Effect of impurity on the exciton dynamics of GaN in non-thermal equilibrium state

杂质对非热平衡态GaN激子动力学的影响

• 发表时间: 2015
• 作者: Bei Ma;Kazuma Takeuchi;and Yoshihiro Ishitani
• 通讯作者: and Yoshihiro Ishitani

光エレクトロニクス研究室（千葉大）

光电子实验室（千叶大学）

“縮退型ポンプ-プローブ法によるInNの超高速ダイナミクス観測

“使用简并泵浦探针方法对 InN 进行超快动力学观察”

• 发表时间: 2014
• 作者: 今井大地;森田健;塚原捷生;石谷善博;馬ベイ;王新強;草部一秀;吉川明彦
• 通讯作者: 吉川明彦