Advanced research on semiconductor optical device materials by controlling phonon transport under non-thermal equilibrium state
Advanced research on semiconductor optical device materials by controlling phonon transport under non-thermal equilibrium state
非热平衡状态下控制声子输运的半导体光器件材料前沿研究
批准号：
25286048
负责人：
Ishitani Yoshihiro
金额：
$11.98万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Dielectric absorption of s-polarized infrared light resonant to longitudinal optical phonon energy incident on lateral (0 0 0 1) GaN/Ti stripe structures
s 偏振红外光与入射到横向 (0 0 0 1) GaN/Ti 条带结构上的纵向光学声子能量共振的介电吸收
s 偏振红外光与入射到横向 (0 0 0 1) GaN/Ti 条带结构上的纵向光学声子能量共振的介电吸收
DOI：
10.1088/0022-3727/48/9/095103
发表时间：
2015
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
[Y. Ishitani, Keisuke Hatta, K. Morita, B. Ma]
通讯作者：
B. Ma
Effect of Low Temperature Growth and a Distributed Bragg Reflector on the emission from Molecular Beam Epitaxy‐Grown Er δ‐doped GaAs
低温生长和分布式布拉格反射器对分子束外延生长 Er δ 掺杂 GaAs 发射的影响
低温生长和分布式布拉格反射器对分子束外延生长 Er δ 掺杂 GaAs 发射的影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Takamiya, M. Suto, K. Iimura, S. Yagi, H. Yaguchi]
通讯作者：
H. Yaguchi
Effect of impurity on the exciton dynamics of GaN in non-thermal equilibrium state
杂质对非热平衡态GaN激子动力学的影响
杂质对非热平衡态GaN激子动力学的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Bei Ma, Kazuma Takeuchi, and Yoshihiro Ishitani]
通讯作者：
and Yoshihiro Ishitani
光エレクトロニクス研究室（千葉大）
光电子实验室（千叶大学）
光电子实验室（千叶大学）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
“縮退型ポンプ-プローブ法によるInNの超高速ダイナミクス観測
“使用简并泵浦探针方法对 InN 进行超快动力学观察”
“使用简并泵浦探针方法对 InN 进行超快动力学观察”
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[今井大地, 森田健, 塚原捷生, 石谷善博, 馬ベイ, 王新強, 草部一秀, 吉川明彦]
通讯作者：
吉川明彦
共 54 条
Development of basic science and technology for nitride semiconductor optical devices by controlling phonon functions
-
批准号：17H02772
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$11.48万
-
财政年份：2017
-
负责人：Ishitani Yoshihiro
-
依托单位：
海外基金