Development of basic science and technology for nitride semiconductor optical devices by controlling phonon functions
Development of basic science and technology for nitride semiconductor optical devices by controlling phonon functions
通过控制声子函数开发氮化物半导体光器件基础科学技术
批准号：
17H02772
负责人：
Ishitani Yoshihiro
金额：
$11.48万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Analysis of highly Si-doped GaN using various lattice vibration modes observed by infrared and Raman spectroscopy
使用红外和拉曼光谱观察到的各种晶格振动模式分析高硅掺杂 GaN
使用红外和拉曼光谱观察到的各种晶格振动模式分析高硅掺杂 GaN
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Bei Ma, Ming Chuan Tang, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka]
通讯作者：
Hiroshi Fujioka
Plasma activated bonding of 2-inch sputtered AlN wafers
2 英寸溅射 AlN 晶圆的等离子体激活键合
2 英寸溅射 AlN 晶圆的等离子体激活键合
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Hayashi, H. Miyake]
通讯作者：
H. Miyake
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Nakajima, R. Taguchi, Y. Kuzuya, A. Yabuuchi and A. Kinomura, H. Miyake]
通讯作者：
H. Miyake
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.01.011
发表时间：
2019-03
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[K. Uesugi;Y. Hayashi;K. Shojiki;S. Xiao;K. Nagamatsu;H. Yoshida;H. Miyake]
通讯作者：
K. Uesugi;Y. Hayashi;K. Shojiki;S. Xiao;K. Nagamatsu;H. Yoshida;H. Miyake
フォノンプロセスを考慮した励起子ダイナミクス解析（PXRモデル）
考虑声子过程的激子动力学分析（PXR模型）
考虑声子过程的激子动力学分析（PXR模型）
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[石谷 善博, 大木 健輔, 野町 健太郎, 馬 ベイ, 森田 健]
通讯作者：
森田 健
共 62 条
Advanced research on semiconductor optical device materials by controlling phonon transport under non-thermal equilibrium state
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批准号：25286048
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.98万
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财政年份：2013
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负责人：Ishitani Yoshihiro
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依托单位：