Study on performance improvement of SOI MOSFET single-photon detector
Study on performance improvement of SOI MOSFET single-photon detector
SOI MOSFET单光子探测器性能改进研究
批准号：
25286068
负责人：
Inokawa Hiroshi
金额：
$11.98万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa and Y. Takahashi]
通讯作者：
H. Inokawa and Y. Takahashi
ホールアレイ型金属回折格子付ＳＯＩフォトダイオードの斜入射光に対する分光感度特性
孔阵列型金属衍射光栅SOI光电二极管斜入射光光谱灵敏度特性
孔阵列型金属衍射光栅SOI光电二极管斜入射光光谱灵敏度特性
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐藤弘明, 岩田将平, 小野篤史, 猪川洋]
通讯作者：
猪川洋
Analysis of Hole Lifetime in SOI MOSFET Single-Photon Detector
SOI MOSFET单光子探测器的空穴寿命分析
SOI MOSFET单光子探测器的空穴寿命分析
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
MAKARA Journal of Technology
影响因子：
0.2
作者：
[Kidist Moges, Bing Hu, Hongxi Liu, Tetsuya Uemura, and Masafumi Yamamoto, Dedy Septono Catur Putranto,Wei Du,Hiroaki Satoh,Atsushi Ono,Purnomo Sidi Priambodo,Djoko Hartanto,Hiroshi Inokawa]
通讯作者：
Dedy Septono Catur Putranto,Wei Du,Hiroaki Satoh,Atsushi Ono,Purnomo Sidi Priambodo,Djoko Hartanto,Hiroshi Inokawa
表面プラズモンアンテナ付ＳＯＩフォトダイオードを用いたショ糖水溶液の屈折率測定における性能評価
使用带有表面等离子体天线的 SOI 光电二极管测量蔗糖水溶液折射率的性能评估
使用带有表面等离子体天线的 SOI 光电二极管测量蔗糖水溶液折射率的性能评估
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐藤 弘明, 岩田 将平, 小野 篤史, 猪川 洋]
通讯作者：
猪川 洋
表面プラズモンアンテナ付フォトダイオードを用いた屈折率測定の高感度化
使用带有表面等离子体天线的光电二极管进行高灵敏度折射率测量
使用带有表面等离子体天线的光电二极管进行高灵敏度折射率测量
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐藤弘明, 岩田将平, 小野篤史, 猪川 洋]
通讯作者：
猪川 洋
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