Electrically Pumped Broad Band and Vertical Cavity Semiconductor Dilute Nitride Amplifiers for Metro and Acess Networks

适用于城域和接入网络的电泵宽带和垂直腔半导体稀氮化物放大器

基本信息

  • 批准号:
    EP/G023972/1
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 41.86万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    英国
  • 项目类别:
    Research Grant
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    英国
  • 起止时间:
    2009 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要,但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Recent Progress on Dilute Nitride VCSELs and VCSOAs
稀氮化物 VCSEL 和 VCSOA 的最新进展
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. J Adams (Author)
  • 通讯作者:
    M. J Adams (Author)
Top Hat HELLISH VCSOA for optical amplification and wavelength conversion for 1.3 to 0.85 micrometer operation
用于 1.3 至 0.85 微米操作的光学放大和波长转换的 Top Hat HELLISH VCSOA
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Faten Chaqmaqchee (Author)
  • 通讯作者:
    Faten Chaqmaqchee (Author)
1.55 µm distributed feedback (DFB) lasers subject to strong 1.4 µm optical injection
1.55 µm 分布式反馈 (DFB) 激光器受到 1.4 µm 强光注入
  • DOI:
    10.1016/j.optcom.2012.07.059
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.4
  • 作者:
    Mazzucato S
  • 通讯作者:
    Mazzucato S
Temperature and magnetic field effect on oscillations observed in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells structures
温度和磁场对 GaInNAs/GaAs 多量子阱结构中观察到的振荡的影响
  • DOI:
    10.1016/j.mseb.2011.12.022
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Khalil H
  • 通讯作者:
    Khalil H
Gain Characteristic of Dilute Nitride HELLISH-VCSOA for 1.3 micrometer Wavelength Operation
1.3 微米波长操作的稀氮化物 HELLISH-VCSOA 的增益特性
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Faten Chaqmaqchee (Author)
  • 通讯作者:
    Faten Chaqmaqchee (Author)
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Naci Balkan其他文献

Energy Relaxation of Electrons in InGaN Quantum Wells
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  • DOI:
    10.1007/s11082-006-0046-1
  • 发表时间:
    2006-03-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.000
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  • 通讯作者:
    Naci Balkan
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    2014-01-17
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.500
  • 作者:
    Faten Adel Ismael Chaqmaqchee;Naci Balkan
  • 通讯作者:
    Naci Balkan
Dilute nitride and GaAs n-i-p-i solar cells
  • DOI:
    10.1186/1556-276x-7-631
  • 发表时间:
    2012-11-20
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.500
  • 作者:
    Simone Mazzucato;Benjamin Royall;Richard Ketlhwaafetse;Naci Balkan;Joel Salmi;Janne Puustinen;Mircea Guina;Andy Smith;Russell Gwilliam
  • 通讯作者:
    Russell Gwilliam
Overshoot mechanism in transient excitation of THz and Gunn oscillations in wide-bandgap semiconductors
  • DOI:
    10.1186/1556-276x-7-647
  • 发表时间:
    2012-11-24
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.500
  • 作者:
    Ernesto Momox;Nick Zakhleniuk;Naci Balkan
  • 通讯作者:
    Naci Balkan

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    2023
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    $ 41.86万
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  • 批准号:
    EP/X016633/1
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    2023
  • 资助金额:
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  • 批准号:
    2329970
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 41.86万
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    Cooperative Agreement
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  • 批准号:
    2221010
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    2022
  • 资助金额:
    $ 41.86万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
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  • 批准号:
    569169-2021
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 41.86万
  • 项目类别:
    Alliance Grants
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    MR/X012263/1
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 41.86万
  • 项目类别:
    Research Grant
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知道了