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Characterization of strain in GaN, AIGaN and InGaN semiconductors
GaN、AlGaN 和 InGaN 半导体的应变表征
基本信息
- 批准号：412751-2011
- 负责人：
- 金额：$ 1.82万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Engage Grants Program
- 财政年份：2011
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2011-01-01 至 2012-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The development of gallium nitride (GaN) semiconductors has the potential for improved high-power,
氮化镓(GaN)半导体的发展具有改进高功率的潜力，
项目成果
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有序和无序材料的光谱学和光谱学
- 批准号：
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- 资助金额：
$ 1.82万 - 项目类别：
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 1.82万 - 项目类别：
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- 批准号：
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- 资助金额：
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RGPIN-2015-06564 - 财政年份：2017
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RGPIN-2015-06564 - 财政年份：2015
- 资助金额：
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