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Process development for low-pressure chemical vapor deposition of low-stress silicon-nitride and in-situ doped polysilicon thin films on 200 mm wafers in a novel vertical furnace
在新型立式炉中在 200 mm 晶圆上低压化学气相沉积低应力氮化硅和原位掺杂多晶硅薄膜的工艺开发
基本信息
- 批准号：419878-2011
- 负责人：
- 金额：$ 0.76万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Industrial R&D Fellowships (IRDF)
- 财政年份：2011
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2011-01-01 至 2012-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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- 作者：
Boulkaibet, Ilyes;Belarbi, Khaled;Chadli, Mohammed - 通讯作者：
Chadli, Mohammed
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Process development for low-pressure chemical vapor deposition of low-stress silicon-nitride and in-situ doped polysilicon thin films on 200 mm wafers in a novel vertical furnace
在新型立式炉中在 200 mm 晶圆上低压化学气相沉积低应力氮化硅和原位掺杂多晶硅薄膜的工艺开发
- 批准号：
419878-2011 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 0.76万 - 项目类别：
Industrial R&D Fellowships (IRDF)
Process development for low-pressure chemical vapor deposition of low-stress silicon-nitride and in-situ doped polysilicon thin films on 200 mm wafers in a novel vertical furnace
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- 批准号：
419878-2011 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 0.76万 - 项目类别：
Industrial R&D Fellowships (IRDF)
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