刷新
{{item.name}}会员
Development of GaN-based transistors
GaN基晶体管的开发
基本信息
- 批准号：448484-2013
- 负责人：
- 金额：$ 0.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：University Undergraduate Student Research Awards
- 财政年份：2013
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2013-01-01 至 2014-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
No summary - Aucun sommaire
无摘要- Aucun sommaire
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Musgrave, Takeshi其他文献
Musgrave, Takeshi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Musgrave, Takeshi', 18)}}的其他基金
Graph Sampling and Signal Processing
图采样和信号处理
- 批准号：
482623-2015 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
University Undergraduate Student Research Awards
3D Movie Quality Assessment
3D电影质量评估
- 批准号：
464564-2014 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
University Undergraduate Student Research Awards
相似国自然基金
基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑
金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础
研究
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：10.0 万元
- 项目类别：省市级项目
新型自支撑GaN/二维GaSe范德华异质结垂直结构紫外光电探测器研究
- 批准号：QZQN25F050009
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
GaN功率器件动态阈值不稳定诱导退化机理研究
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
面向无人机应用的增强型p-gate
AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及
机理研究
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：10.0 万元
- 项目类别：省市级项目
GaN基电子器件界面热输运机理研究
- 批准号：2025JJ50045
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
免造影剂增强心脏CT技术：深度学习GAN与U-Net架构的融合应用
- 批准号：2025JJ80644
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
基于GAN-PSO智能算法的高性能Mg-Mn系变形镁合金设计
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
大尺寸 Si 基 GaN 材料外延及功率器件开发关键技术
- 批准号：
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
相似海外基金
Collaborative Research: Highly Compact, Multi-port, GaN-Based Grid-Forming Inverter
合作研究：高度紧凑、多端口、基于 GaN 的并网逆变器
- 批准号：
2227160 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
Standard Grant
Collaborative Research: Highly Compact, Multi-port, GaN-Based Grid-Forming Inverter
合作研究：高度紧凑、多端口、基于 GaN 的并网逆变器
- 批准号：
2227161 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
Standard Grant
Collaborative Research: CMOS+X: 3D integration of CMOS spiking neurons with AlBN/GaN-based Ferroelectric HEMT towards artificial somatosensory system
合作研究：CMOS X：CMOS 尖峰神经元与 AlBN/GaN 基铁电 HEMT 的 3D 集成，用于人工体感系统
- 批准号：
2324781 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
Standard Grant
Collaborative Research: CMOS+X: 3D integration of CMOS spiking neurons with AlBN/GaN-based Ferroelectric HEMT towards artificial somatosensory system
合作研究：CMOS X：CMOS 尖峰神经元与 AlBN/GaN 基铁电 HEMT 的 3D 集成，用于人工体感系统
- 批准号：
2324780 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
Standard Grant
Gate insulator deposition process for GaN-based MOS devices using mist-CVD technique
使用雾气 CVD 技术的 GaN 基 MOS 器件的栅极绝缘体沉积工艺
- 批准号：
23K03973 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
High-Power Coherent THz Source Based on GaN IMPATTs
基于 GaN IMPATT 的高功率相干太赫兹源
- 批准号：
22H00213 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
STTR Phase II: Integrated Gallium Nitride (GaN) Field Effect Transistor (FET)-Based High Density On Board Electric Vehichle (EV) Charger
STTR 第二阶段：基于集成氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 的高密度车载电动汽车 (EV) 充电器
- 批准号：
2052316 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
Cooperative Agreement
Power Cycle Modulation Control for High Efficiency GaN Switch Based Power Supplies
基于高效 GaN 开关的电源的功率循环调制控制
- 批准号：
RGPIN-2019-06635 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Brain phantom generation by generative adversarial net (GAN) for AI-based emission tomography
通过生成对抗网络 (GAN) 生成脑模型，用于基于人工智能的发射断层扫描
- 批准号：
10466967 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
Collaborative Research: High-frequency, High-power Amplifier Based on Distributed Coupling of GaN HEMTs Through a SiC Substrate-integrated Waveguide
合作研究：基于 SiC 衬底集成波导的 GaN HEMT 分布式耦合的高频、高功率放大器
- 批准号：
2132329 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 0.33万 - 项目类别：
Standard Grant