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Gate insulator deposition process for GaN-based MOS devices using mist-CVD technique
使用雾气 CVD 技术的 GaN 基 MOS 器件的栅极绝缘体沉积工艺
基本信息
- 批准号：23K03973
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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谷田部 然治其他文献
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- 影响因子：0
- 作者：
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佐藤 威友
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电化学沉积法Cu2O/InP异质结构的形成及表征
- DOI：
- 发表时间：
2015 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
近江 沙也夏;熊崎 祐介;谷田部 然治;佐藤 威友 - 通讯作者：
佐藤 威友
谷田部 然治的其他文献
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相似海外基金
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