Démonstration d'une technologie de TSV dans des hétérostructures de GaN
GaN 异质结构 TSV 技术演示
基本信息
- 批准号:477865-2015
- 负责人:
- 金额:$ 1.82万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Engage Grants Program
- 财政年份:2015
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:2015-01-01 至 2016-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Osemi Canada est une compagnie canadienne spécialisée sur le nitrure de gallium (GaN), un matériau
semi-conducteur de type III-V avec une grande bande interdite. Ceci positionne ce matériau comme candidat de
premier choix pour la fabrication de composant de puissance dont notamment pour les véhicules électriques et
le couplage au réseau de sources d'énergie renouvelables. Un des défis de ces composants est justement
l'acheminement électrique de cette haute puissance (très forts courants) et la dissipation thermique de la chaleur
qu'ils génèrent.
Dans ce projet, nous proposons de démontrer l'utilisation d'une technique électrochimique innovante pour la
réalisation de connexion électriques à travers la puce dit « vias traversants » ou « TSV ». Ces TSV devraient
permettre de réduire les deux problèmes énumérés. La technique électrochimique de fabrication des TSV n'a
jamais été appliquée au GaN et présente de plus une structure de coût qui en rend l'utilisation industriellement
très intéressante pour la production de masse à bas coût.
L'expertise unique de l'équipe de Serge Charlebois (UdeS) dans l'application de ce procédé et la disponibilité
du procédé tant en milieu universitaire (au 3IT, UdeS) qu'en équipement industriel (au C2MI) devrait permettre
de donner à Osemi un avantage compétitif additionnel.
Osemi Canada est one company canadienne spsamcialissame sur le nature de gallium (GaN), unmatsiriau
项目成果
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专著数量(0)
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