Démonstration d'une technologie de TSV dans des hétérostructures de GaN

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Osemi Canada est une compagnie canadienne spécialisée sur le nitrure de gallium (GaN), un matériau semi-conducteur de type III-V avec une grande bande interdite. Ceci positionne ce matériau comme candidat de premier choix pour la fabrication de composant de puissance dont notamment pour les véhicules électriques et le couplage au réseau de sources d'énergie renouvelables. Un des défis de ces composants est justement l'acheminement électrique de cette haute puissance (très forts courants) et la dissipation thermique de la chaleur qu'ils génèrent. Dans ce projet, nous proposons de démontrer l'utilisation d'une technique électrochimique innovante pour la réalisation de connexion électriques à travers la puce dit « vias traversants » ou « TSV ». Ces TSV devraient permettre de réduire les deux problèmes énumérés. La technique électrochimique de fabrication des TSV n'a jamais été appliquée au GaN et présente de plus une structure de coût qui en rend l'utilisation industriellement très intéressante pour la production de masse à bas coût. L'expertise unique de l'équipe de Serge Charlebois (UdeS) dans l'application de ce procédé et la disponibilité du procédé tant en milieu universitaire (au 3IT, UdeS) qu'en équipement industriel (au C2MI) devrait permettre de donner à Osemi un avantage compétitif additionnel.