InGaP/GaAs/Ge高效太阳能电池研究
批准号:
69876045
项目类别:
面上项目
资助金额:
14.0 万元
负责人:
高鸿楷
依托单位:
学科分类:
F0401.半导体材料
结题年份:
2001
批准年份:
1998
项目状态:
已结题
项目参与者:
何益民、龚平、赛小锋
关键词:
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点,提供专业选题建议
深度指导申报书撰写,确保创新可行
指导项目中标800+,快速提高中标率
微信扫码咨询
MOCVD方法制备Ⅲ-Ⅴ族阴极材料的研究
- 批准号:68876109
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:5.0万元
- 批准年份:1988
- 负责人:高鸿楷
- 依托单位:
国内基金
海外基金
