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MOCVD方法制备Ⅲ-Ⅴ族阴极材料的研究
批准号：
68876109
项目类别：
面上项目
资助金额：
5.0 万元
负责人：
高鸿楷
依托单位：
中国科学院西安光学精密机械研究所
学科分类：
F0403.半导体光电子器件与集成
结题年份：
1990
批准年份：
1988
项目状态：
已结题
项目参与者：
张济康、刘苏平、云峰
关键词：
MOCVD负电子亲和势阴极材料
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