高功率输入耦合器关键技术研究
批准号：
10675144
项目类别：
面上项目
资助金额：
40.0 万元
负责人：
潘卫民
依托单位：
学科分类：
加速器物理
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
王光伟、李建国、孙毅、李中泉、张锦堂、马强、黄彤明
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中文摘要
高功率输入耦合器是高功率微波领域的关键部件，也是加速器高频系统中的关键设备，其技术综合性很强，涉及到的学科领域包括微波功率传输、低温学、机械工程学、真空学、材料科学等等。例如，其中涉及电子在强微波场中与陶瓷和金属相互作用的物理过程、陶瓷表面镀膜成份及厚度的精密控制等高技术工艺。因而一直是国际上本领域的研究热点之一。本项目旨在通过理论模拟和实验测试研究，弄清核心物理机制和关键工艺技术，深入研究二次电子倍增效应，给出其物理图像和模型，优化耦合器的结构设计和传输特性，同时模拟耦合器的热应力分布、机械强度，掌握高频窗的材料加工特性，设计耦合器的制造工艺。并采用国际合作方式，利用国外的高功率测试设备，积累实验测试数据，指导我们的技术研究及设计优化。希望通过该课题的研究，培养人才队伍，推动国内相关新技术的生长点和产业发展，提升国际竞争能力。
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
中国物理C
影响因子：
--
作者：
[黄彤明, 马强, 潘卫民, 王光伟]
通讯作者：
王光伟
DOI：
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发表时间：
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期刊：
中国物理C
影响因子：
--
作者：
[潘卫民, 黄彤明, 马强, 王光伟]
通讯作者：
王光伟
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
中国物理C
影响因子：
--
作者：
[黄彤明, 潘卫民, 王光伟]
通讯作者：
王光伟
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
高能物理与核物理
影响因子：
--
作者：
[钟娟, 潘卫民]
通讯作者：
潘卫民
1.3GHz ILC/ERL超导高频腔输入耦合器关键技术研究
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批准号：10975149
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项目类别：面上项目
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资助金额：46.0万元
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批准年份：2009
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负责人：潘卫民
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依托单位：
国内基金
海外基金