高功率输入耦合器是高功率微波领域的关键部件，也是加速器高频系统中的关键设备，其技术综合性很强，涉及到的学科领域包括微波功率传输、低温学、机械工程学、真空学、材料科学等等。例如，其中涉及电子在强微波场中与陶瓷和金属相互作用的物理过程、陶瓷表面镀膜成份及厚度的精密控制等高技术工艺。因而一直是国际上本领域的研究热点之一。本项目旨在通过理论模拟和实验测试研究，弄清核心物理机制和关键工艺技术，深入研究二次电子倍增效应，给出其物理图像和模型，优化耦合器的结构设计和传输特性，同时模拟耦合器的热应力分布、机械强度，掌握高频窗的材料加工特性，设计耦合器的制造工艺。并采用国际合作方式，利用国外的高功率测试设备，积累实验测试数据，指导我们的技术研究及设计优化。希望通过该课题的研究，培养人才队伍，推动国内相关新技术的生长点和产业发展，提升国际竞争能力。