输入耦合器是ILC/ERL加速器中1.3GHz高频腔系统中的关键部件，具有很强的技术综合性，涉及到包括微波技术、低温技术、机械工程、真空技术、材料学、表面处理等诸多技术领域。其中，涉及微波场传输的耦合、电子在强微波场中与陶瓷相互作用、陶瓷表面镀膜的控制等前沿研究和高技术工艺，一直是国际上加速器领域的研究热点之一。并且在多种加速器装置具有广泛的通用性。本项目旨在通过理论模拟和实验测试研究，对核心物理机制和关键工艺技术深入研究，对二次电子倍增效应给出其物理模型，根据物理机制优化耦合器的结构设计和传输特性，同时模拟耦合器的热分布、热/机械应力分布，设计耦合器的制造工艺。采用国际合作方式，利用国外的技术交流和高功率测试设备，积累实验测试数据，指导我们我们的技术研究及设计优化。希望通过该课题的研究，培养人才队伍，推动国内相关新技术的发展，提升科技竞争能力。