课题基金 / 基金详情

利用角分辨光电子能谱研究新奇量子体系中的受控表面掺杂

批准号：
10874116
项目类别：
面上项目
资助金额：
35.0 万元
负责人：
钱冬
依托单位：
上海交通大学
学科分类：
强关联体系
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
叶曦
关键词：
电子结构强关联拓扑有序表面掺杂

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项目成果

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中文摘要
通过原位的亚原子层碱金属沉积的方法，可以实现对准二维体系表面层掺杂浓度的人为控制。利用这种技术手段结合具有极高表面灵敏度度的高分辨率角分辨光电子能谱、磁诱导的二次谐波效应以及表面分析手段，来研究具有准二维电子结构特别是具有极性解离表面的强关联电子系统以及具有特殊表面态的宏观量子系统- - 拓扑绝缘体的电子结构和磁性随掺杂的演变。这些研究有助于增进对强关联体系的了解。也有助于理解和探索拓扑绝缘体在自旋电子学方面应用的可能性。
英文摘要
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Fermi surface topology and low-lying quasiparticle dynamics of parent Fe1+xTe/Se superconductor.
DOI： 10.1103/physrevlett.103.037002
发表时间： 2009-01
期刊： Physical review letters
影响因子： 8.6
作者： [Y. Xia;D. Qian;L. Wray;D. Hsieh;G. Chen;J. Luo;N. L. Wang;M Zahid Hasan]
通讯作者： Y. Xia;D. Qian;L. Wray;D. Hsieh;G. Chen;J. Luo;N. L. Wang;M Zahid Hasan
Spin-orbital ground states of superconducting doped topological insulators: A Majorana platform
超导掺杂拓扑绝缘体的自旋轨道基态：马约拉纳平台
DOI： 10.1103/physrevb.83.224516
发表时间： 2011-04
期刊： Physical Review B
影响因子： 3.7
作者： [Wray, L. Andrew, Lin, Hsin, Bansil, Arun, Fu, Liang, Xia, Yuqi, Cava, Robert J., Fedorov, Alexei V., Hor, Yew San, Qian, Dong, Xu, Suyang, Hasan, M. Zahid]
通讯作者： Hasan, M. Zahid
Low Energy Electronic Structures in Electron-Doped and Hole-Doped Superconducting (Ba/K)(Fe/Co)2As2
DOI： 10.1007/s10948-009-0609-z
发表时间： 2010-01
期刊： Journal of Superconductivity and Novel Magnetism
影响因子： 1.8
作者： [D. Qian;Yuqi Xia;L. Wray;D. Hsieh;M Zahid Hasan]
通讯作者： D. Qian;Yuqi Xia;L. Wray;D. Hsieh;M Zahid Hasan
A tunable topological insulator in the spin helical Dirac transport regime
自旋螺旋狄拉克输运体系中的可调谐拓扑绝缘体
DOI： 10.1038/nature08234
发表时间： 2009-08-27
期刊： NATURE
影响因子： 64.8
作者： [Hsieh, D., Xia, Y., Hasan, M. Z.]
通讯作者： Hasan, M. Z.
拓扑量子材料异质结构薄膜的实验研究
  • 批准号：
    12074248
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    62.0万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    钱冬
  • 依托单位：
    上海交通大学
大能隙量子自旋霍尔效应薄膜研究
  • 批准号：
    U1632272
  • 项目类别：
    联合基金项目
  • 资助金额：
    230.0万元
  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    钱冬
  • 依托单位：
    上海交通大学
二维锡烯薄膜的实验研究
  • 批准号：
    11574201
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    73.0万元
  • 批准年份：
    2015
  • 负责人：
    钱冬
  • 依托单位：
    上海交通大学
单个双原子层铋(Bi)薄膜能带结构的界面调控和边缘态研究
  • 批准号：
    11274228
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    95.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    钱冬
  • 依托单位：
    上海交通大学
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