信息技术与信息产业的发展要求硬盘具有更大的容量与更高的记录面密度, 而硬盘实现更高记录密度的关键之一是采用更高磁晶各向异性的记录介质。SmCo5薄膜因具有极高的磁晶各向异性适合用作未来超高密度磁记录的侯选材料。本项目采用溅射基片加温、真空磁场热退火等特殊工艺制备SmCo5晶态垂直磁化膜, 通过实验测试结果分析与单离子模型计算, 阐明SmCo5垂直磁化膜的形成机理。在此基础上, 采用软磁底层与籽晶层来提高SmCo5薄膜晶粒的垂直取向度与垂直磁各向异性, 采用第一性原理计算元素掺杂对SmCo5薄膜晶体结构与磁性能的影响,添加合适的元素来提高SmCo5薄膜相结构的稳定性,控制其晶粒尺寸与磁性能,形成高性能的SmCo5垂直磁化膜。预期研究成果对于实现超高密度磁记录具有重要意义。