氧化锌纳米冷阴极物性调控、原位微区表征研究及场发射机理探索

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    50972168
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    36.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
  • 结题年份:
    2012
  • 批准年份:
    2009
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2010-01-01 至2012-12-31

项目摘要

氧化锌纳米冷阴极在真空微纳电子器件中具有重要的应用前景。目前,氧化锌纳米冷阴极研究主要涉及材料的可控制备和场发射特性表征,多数研究者将其优异的场发射特性归功于大的"高径比",很少有人深入探究其深层物理原因。然而,包括表面功函数、电导、表面态、掺杂、界面电接触等物理特性,都对氧化锌的电子发射具有影响。因此,有关氧化锌纳米冷阴极目前紧迫需要研究的问题,是如何实现上述物性的调控及微区表征,并在此基础上建立相关的场发射物理模型,解决材料性能优化的技术瓶颈和科学难题,推动材料在新型真空微纳电子器件上的应用。基于上述背景,本项目将针对材料物性可控研制及微区物性原位表征,开展氧化锌纳米冷阴极材料物性可控制备、材料后处理及原位物性表征研究。重点是获得优化氧化锌纳米冷阴极场发射性能的关键工艺,发展原位微区物性表征技术,理解材料物理特性与场发射性能的相关性及场发射机理,获得符合器件应用要求的氧化锌纳米冷阴极。

结项摘要

氧化锌纳米冷阴极在真空微纳电子器件中具有重要的应用前景。已报道的相关工作主要涉及材料的形貌可控制备和场发射特性表征;然而,包括表面功函数、电导、掺杂、界面电接触等物理特性都对氧化锌的场致电子发射具有影响,但已报道的工作很少有深入探究其深层物理原因及材料场发射性能的优化方法。本项目从“材料精确可控制备—性能优化—前瞻应用可行性验证”三方面解决了一系列难点。获得了精确定位、表面平滑、高均匀垂直取向、场发射性能优越的单根氧化锌纳米尖阵列,实现了阵列的低压(368 V) 并行电子束曝光实验验证,制作出亚微米尺度电子束曝光点阵图形。研制出场效应晶体管 (MOSFET)及氧化锌纳米线阵列集成的新型真空电子源,实现了氧化锌纳米线冷阴极的有源控制场发射。实现了电极条侧壁原位可控生长氧化锌纳米线,验证了氧化锌纳米线平面型场发射器件结构在弱光显示或者近眼显示应用的可行性。项目工作为研制新型氧化锌纳米线冷阴极电子源阵列打下了良好的基础,对促进氧化锌纳米冷阴极电子源在新型真空电子源器件上的应用具有积极意义。

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(5)
专利数量(0)
Field Electron Emission Characteristics and Physical Mechanism of Individual Single-Layer Graphene
单层石墨烯的场电子发射特性及物理机制
  • DOI:
    10.1021/nn101719r
  • 发表时间:
    2010-11-01
  • 期刊:
    ACS NANO
  • 影响因子:
    17.1
  • 作者:
    Xiao, Zhiming;She, Juncong;Xu, Ningsheng
  • 通讯作者:
    Xu, Ningsheng
Large piezoresistance of single silicon nano-needles induced by non-uniaxial strain
非单轴应变引起的单硅纳米针的大压阻
  • DOI:
    10.1063/1.3662917
  • 发表时间:
    2011-12
  • 期刊:
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Xiao, Zhiming;She, Juncong;Deng, Shaozhi;Xu, Ningsheng
  • 通讯作者:
    Xu, Ningsheng
Pulsed-laser treatment of solution-grown ZnO nanowires in nitrogen: Enhancing in electrical conduction and field emission
氮气中溶液生长的 ZnO 纳米线的脉冲激光处理:增强导电和场发射
  • DOI:
    10.1063/1.3284948
  • 发表时间:
    2010-01-15
  • 期刊:
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Chen, J. B.;Xu, C. J.;Xu, N. S.
  • 通讯作者:
    Xu, N. S.
Precise Control-Fabrication of Single ZnO Nanoemitter Arrays and Their Possible Application in Low Energy Parallel Electron Beam Exposure
单ZnO纳米发射体阵列的精确控制制备及其在低能平行电子束曝光中的应用
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    Nanoscale
  • 影响因子:
    6.7
  • 作者:
    He;Hao;She, Juncong;Huang, Yifeng;Deng, Shaozhi;Xu, Ningsheng
  • 通讯作者:
    Xu, Ningsheng

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其他文献

Coplanar-gate ZnO nanowire feld emitter arrays with enhanced gate-control performance using a ring-shaped cathode
使用环形阴极增强栅极控制性能的共面栅极 ZnO 纳米线场发射体阵列
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
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  • 影响因子:
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  • 作者:
    赵龙;陈毅聪;张志鹏;曹秀清;张国富;佘峻聪;邓少芝;许宁生;陈军
  • 通讯作者:
    陈军

其他文献

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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

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          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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