带控制栅极单纳米冷阴极原型器件阵列的研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60771055
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    29.0万
  • 负责人：
    佘峻聪
  • 依托单位：
    中山大学
  • 学科分类：
    F0122.物理电子学
  • 结题年份：
    2010
  • 批准年份：
    2007
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2008-01-01 至2010-12-31

项目摘要

本课题研究带控制栅极的单根纳米线场发射器件阵列，它在平行电子束光刻及高精度平板显示器等领域有重要应用。其中平行电子束光刻是纳米器件制造中用于制作大面积纳米图形的一项关键技术，可以克服单电子束光刻产率低的问题。目前，人们主要关注单根碳纳米管冷阴极，碳纳米管虽然场发射性能优越，但刚性差，物性均匀性难以控制，带栅极单根碳纳米管冷阴极阵列制作难度较大。氧化锌(ZnO)纳米线是有潜力的场发射材料，利用单根ZnO纳米线阵列有可能在单纳米冷阴极器件研究上取得突破。本课题以获得硅基上带栅极单根ZnO纳米线冷阴极原型器件阵列为目的，开展适合于器件应用的单根ZnO纳米线阵列的制备、栅极制作方法及栅极结构与单根ZnO纳米线集成的研究，获得原型器件阵列。重点针对平行电子束光刻应用的要求，研究冷阴极阵列的场发射特性，获得实现低压选址驱动、小电子束斑、均匀发射和高发射电流密度的关键技术。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（8）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（4）
专利数量（3）
Field Electron Emission Characteristics and Physical Mechanism of Individual Single-Layer Graphene
单层石墨烯的场电子发射特性及物理机制
  • DOI：
    10.1021/nn101719r
  • 发表时间：
    2010-11-01
  • 期刊：
    ACS NANO
  • 影响因子：
    17.1
  • 作者：
    Xiao, Zhiming;She, Juncong;Xu, Ningsheng
  • 通讯作者：
    Xu, Ningsheng
Ultrathin seed-layer for tuning density of ZnO nanowire arrays and their field emission characteristics
用于调节 ZnO 纳米线阵列密度及其场发射特性的超薄种子层
  • DOI：
    10.1021/jp8015563
  • 发表时间：
    2008-08-07
  • 期刊：
    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Liu, Jun;She, Juncong;Xu, Ningsheng
  • 通讯作者：
    Xu, Ningsheng
Correlation between Resistance and Field Emission Performance of Individual ZnO One-Dimensional Nanostructures
单个 ZnO 一维纳米结构的电阻与场致发射性能之间的相关性
  • DOI：
    10.1021/nn800283u
  • 发表时间：
    2008-10-01
  • 期刊：
    ACS NANO
  • 影响因子：
    17.1
  • 作者：
    She, Juncong;Xiao, Zhiming;Xu, Ningsheng
  • 通讯作者：
    Xu, Ningsheng
Three-dimensional six-fold symmetry ZnO sub-microstructures
三维六重对称ZnO亚微结构
  • DOI：
    10.1016/j.jcrysgro.2008.11.096
  • 发表时间：
    2009-02
  • 期刊：
    Journal of Crystal Growth
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    Liu, Jun;Feng, Liwen;Chen, Jun;She, Juncong;Xu, Ningsheng;Deng, Shaozhi
  • 通讯作者：
    Deng, Shaozhi
Field-induced hot-electron emission model for wide-band-gap semiconductor nanostructures
宽带隙半导体纳米结构的场致热电子发射模型
  • DOI：
    10.1063/1.3481061
  • 发表时间：
    2010-09
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Xu, N.S.;She, J.C.;Zeng, J.Z.;Deng, S.Z.;He, H.
  • 通讯作者：
    He, H.

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--"}}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--" }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--"}}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

其他文献

Coplanar-gate ZnO nanowire feld emitter arrays with enhanced gate-control performance using a ring-shaped cathode
使用环形阴极增强栅极控制性能的共面栅极 ZnO 纳米线场发射体阵列
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Scientific Reports
  • 影响因子：
    4.6
  • 作者：
    赵龙;陈毅聪;张志鹏;曹秀清;张国富;佘峻聪;邓少芝;许宁生;陈军
  • 通讯作者：
    陈军

其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--" }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--"}}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--" }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
empty
内容获取失败，请点击重试
重试联系客服
title开始分析
查看分析示例
此项目为已结题，我已根据课题信息分析并撰写以下内容，帮您拓宽课题思路：

AI项目思路

AI技术路线图

佘峻聪的其他基金

直立SiO2/Si芯壳双曲结构纳米硅可控制备及应变调控研究
  • 批准号：
    61874144
  • 批准年份：
    2018
  • 资助金额：
    63.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
单层石墨烯边缘局域电子特性表征及二维场发射电子源应用探索
  • 批准号：
    51272293
  • 批准年份：
    2012
  • 资助金额：
    80.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
氧化锌纳米冷阴极物性调控、原位微区表征研究及场发射机理探索
  • 批准号：
    50972168
  • 批准年份：
    2009
  • 资助金额：
    36.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
单根纳米冷阴极电子源阵列的研究
  • 批准号：
    60601019
  • 批准年份：
    2006
  • 资助金额：
    8.0 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目

相似国自然基金

{{ item.name }}
  • 批准号：
    {{ item.ratify_no }}
  • 批准年份：
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额：
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别：
    {{ item.project_type }}

相似海外基金

{{ item.name }}
{{ item.translate_name }}
  • 批准号：
    {{ item.ratify_no }}
  • 财政年份：
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额：
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别：
    {{ item.project_type }}
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了

AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
关闭
close
客服二维码