深紫外光发射器件在信息存储、紫外通讯、固态照明等军事和民用领域均有重要应用。本课题围绕ZnO基宽禁带半导体的深紫外发光材料与器件，从能带工程、应变工程、界面工程等角度，开展了系统研究工作。取得如下主要结果：（1）设计并构筑了全立方相MgZnO/MgO应变多量子阱结构，实现了生长取向、阱层厚度、能带结构的调控；（2）利用压应变效应，在MgZnO/MgO多量子阱上获得了261nm的深紫外发光；（3）研制了基于MgxZn1-xO/MgO异质结构的PIN型和MIS型紫外发光/激光二极管原型器件，并通过引入纳米结构和表面等离激元，实现了器件效率的提升。该项研究为克服MgZnO合金的相分离困难并将其带隙拓展至深紫外区提供了可行思路，推进了ZnO材料的器件化。相关结果在Advanced Functional Materials、Nanoscale、Carbon、Applied Physics Letters等杂志上报道；发表SCI检索论文26篇，其中单篇最高SCI引用65次；撰写有关ZnO发光器件的综述性文章1篇。申请国家发明专利4项（授权1项）。承办国际学术会议1次，在国内外学术会议上作相关主题报告11次。