采用脉冲激光沉积法，成功地在SrTiO3、Nb-SrTiO3、LaSrAlTiO3和LaAlO3等不同取向的基片上，制备取向不同、厚度不等的高质量外延的薄膜。研究了不同缓冲层上制备TbMnO3的电流-电压、介电损耗特性。在电极接触电特性的研究过程中，系统研究了Au、Ag等与Nb-SrTiO3接触的问题，肖特基势垒随着退火温度的升高而增加，表现出与金属无关的势垒变化特性。在TMO界面异质结中，发现与生长温度的有关的整流特性，研究上述不同取向的薄膜的磁、电、光以及界面等特性， 发现不同取向薄膜各向异性的磁特性。在低温生长的Pt/TMO/NSTO界面异质结中，通过一定的电压激励，发现高低比约为104阻变特性， 进行了相关的阻变随温度、面积和延时等研究，并分析了阻变发生的激励。在毫米到微米尺度内进行了TMO与离子束和电子束相互作用研究。在一特定的取向的薄膜中发现二种不同形式的阻变效应现象以及与之相关的电容回滞现象，并发现具有光电特性的TbMnO3异质结及其制备方法。在Applied Physics Letters等SCI 期刊发表论文11篇，申报发明专利4个，已授权2个。