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离子束-电子束作用下的TbMnO3阻变效应研究

批准号:
10975013
项目类别:
面上项目
资助金额:
32.0 万元
负责人:
崔益民
依托单位:
学科分类:
离子注入及离子束材料改性
结题年份:
2012
批准年份:
2009
项目状态:
已结题
项目参与者:
姚骏恩、李清生、王海龙、李文萍、李鹏伟、刘伟、孙倩、罗浒

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
近年来迅速发展的电阻转变存储技术在信息存取方面有很大的应用需求,而对具有电阻转变效应的、以钙钛矿锰氧化物为代表的氧化物材料研究已成为材料科学和凝聚态物理研究中的新亮点。本项目拟用脉冲激光沉积法在不同的基片和缓冲层上制备不同的外延方向、不同的应力状态的TbMnO3薄膜,以聚焦离子束-电子束组成的双束纳米加工系统为主要操控手段,系统研究Ga离子注入、电子注入、纳米尺度等因素引起TbMnO3薄膜阻变效应的物理机制;运用X射线衍射、透射电子显微镜、原子力显微镜、扫描探针显微镜、电子探针、差反射谱等方法分析研究离子、电子注入前后TbMnO3薄膜的微结构变化,采用光学、电学、磁学等各种测量方法,研究注入前后材料的电、磁和介电等特性变化,弄清晶格取向、应力状态、金属电极接触等对薄膜产生阻变效应的影响规律,获得有效的基于离子束、电子束在纳米尺度实现阻变效应的操控方法。
英文摘要
采用脉冲激光沉积法,成功地在SrTiO3、Nb-SrTiO3、LaSrAlTiO3和LaAlO3等不同取向的基片上,制备取向不同、厚度不等的高质量外延的薄膜。研究了不同缓冲层上制备TbMnO3的电流-电压、介电损耗特性。在电极接触电特性的研究过程中,系统研究了Au、Ag等与Nb-SrTiO3接触的问题,肖特基势垒随着退火温度的升高而增加,表现出与金属无关的势垒变化特性。在TMO界面异质结中,发现与生长温度的有关的整流特性,研究上述不同取向的薄膜的磁、电、光以及界面等特性, 发现不同取向薄膜各向异性的磁特性。在低温生长的Pt/TMO/NSTO界面异质结中,通过一定的电压激励,发现高低比约为104阻变特性, 进行了相关的阻变随温度、面积和延时等研究,并分析了阻变发生的激励。在毫米到微米尺度内进行了TMO与离子束和电子束相互作用研究。在一特定的取向的薄膜中发现二种不同形式的阻变效应现象以及与之相关的电容回滞现象,并发现具有光电特性的TbMnO3异质结及其制备方法。在Applied Physics Letters等SCI 期刊发表论文11篇,申报发明专利4个,已授权2个。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Metal and annealing atmospheres dependence of resistive switching in metal/Nb0.7wt%-SrTiO3 interfaces
金属%20and%20退火%20气氛%20依赖性%20of%20电阻%20开关%20in%20金属/Nb0.7wt%-SrTiO3%20界面
DOI: 10.1016/j.cap.2013.01.021
发表时间: 2013-07
期刊: Current Applied Physics
影响因子: 2.4
作者: [zhong shuai, cui yimin]
通讯作者: cui yimin
Electrical characteristics of Au and Ag Schottky contacts on Nb-1.0 wt %-doped SrTiO3
电气%20特性%20of%20Au%20and%20Ag%20肖特基%20触点%20on%20Nb-1.0%20wt%20%-掺杂%20SrTiO3
DOI: 10.1063/1.3512866
发表时间: 2010-11
期刊: Journal of Applied Physics
影响因子: 3.2
作者: [Cui, Yimin, Yin, Sheng, Wang, D, an, Xing, Guozhong, Leng, SengHwee, Wang, Rongming]
通讯作者: Wang, Rongming
Interface-dependent rectifying TbMnO3-based heterojunctions
界面依赖性整流 TbMnO3 基异质结
DOI: 10.1063/1.3660322
发表时间: 2011-12-01
期刊: AIP ADVANCES
影响因子: 1.6
作者: [Cui, Yimin, Tian, Yufeng, Wu, Tom]
通讯作者: Wu, Tom
Complementary Charge Trapping and Ionic Migration in Resistive Switching of Rare-Earth Manganite TbMnO3
稀土锰矿 TbMnO3 电阻开关中的互补电荷捕获和离子迁移
DOI: 10.1021/am301769f
发表时间: 2013-02-27
期刊: ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
影响因子: 9.5
作者: [Cui, Yimin, Peng, Haiyang, Wu, Tom]
通讯作者: Wu, Tom
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    光调制钛氧基化合物低频介电特性研究
    • 批准号:
      12375283
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      53.00万元
    • 批准年份:
      2023
    • 负责人:
      崔益民
    • 依托单位:
    磁性异质金属纳米材料的界面调控和磁电耦合特性研究
    • 批准号:
      51571006
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      62.0万元
    • 批准年份:
      2015
    • 负责人:
      崔益民
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金