深入理解位错和点缺陷对日盲型AlGaN紫外探测器性能的影响机理对于制备高性能的器件具有极为重要的意义。本项目拟通过X光衍射和正电子湮灭实验确定AlGaN材料中的位错和点缺陷种类以及相对浓度大小，然后采用阴极荧光、变温霍尔、表面光伏谱、深能级瞬态谱等方法，研究位错和点缺陷在AlGaN材料中的行为以及对少子扩散长度等参数的影响，再结合理论计算，充分理解和认识AlGaN材料中位错和点缺陷的形成机理和行为。我们通过研究位错密度和点缺陷浓度与生长参数的关系，进一步确认点缺陷的产生机制，找到控制点缺陷浓度的方法。我们还通过制备器件，采用光电流谱、IV特性测试等方法，并结合材料特性测试结果，研究点缺陷对日盲型紫外探测器性能的影响，建立点缺陷与日盲型紫外探测器的影响模型。本项目的研究成果将为制备高性能的日盲型AlGaN紫外探测器奠定基础。