课题基金 / 基金详情

位错和点缺陷对日盲型AlGaN紫外探测器性能的影响机理

批准号：
60776047
项目类别：
面上项目
资助金额：
35.0 万元
负责人：
赵德刚
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
半导体光电子器件与集成
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
周梅、王小兰、卢国军、张爽、黄小辉、史永生
关键词：
位错点缺陷AlGaN紫外探测器

项目摘要

结项摘要

项目成果

赵德刚的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
深入理解位错和点缺陷对日盲型AlGaN紫外探测器性能的影响机理对于制备高性能的器件具有极为重要的意义。本项目拟通过X光衍射和正电子湮灭实验确定AlGaN材料中的位错和点缺陷种类以及相对浓度大小，然后采用阴极荧光、变温霍尔、表面光伏谱、深能级瞬态谱等方法，研究位错和点缺陷在AlGaN材料中的行为以及对少子扩散长度等参数的影响，再结合理论计算，充分理解和认识AlGaN材料中位错和点缺陷的形成机理和行为。我们通过研究位错密度和点缺陷浓度与生长参数的关系，进一步确认点缺陷的产生机制，找到控制点缺陷浓度的方法。我们还通过制备器件，采用光电流谱、IV特性测试等方法，并结合材料特性测试结果，研究点缺陷对日盲型紫外探测器性能的影响，建立点缺陷与日盲型紫外探测器的影响模型。本项目的研究成果将为制备高性能的日盲型AlGaN紫外探测器奠定基础。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate
在独立式 GaN 衬底上生长的 GaN 基紫色激光二极管
DOI： --
发表时间： --
期刊： Chinese Physics B
影响因子： 1.7
作者： [Yang Hui, Zhang Shu-Ming, Wang Hui, Liu Zong-Shun, Jiang De-Sheng, Zhang Li-Qun, Zhu Jian-Jun, Zhao De-Gang]
通讯作者： Zhao De-Gang
Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices
DOI： 10.1088/1674-1056/19/1/017307
发表时间： 2010-01
期刊： Chinese Physics B
影响因子： 1.7
作者： [Liangliang Wang;Shuming Zhang;Jihong Zhu;Jian-jun Zhu;Degang Zhao;Zongshun Liu;D. Jiang;Yu-Tian Wang;Yang Hui]
通讯作者： Liangliang Wang;Shuming Zhang;Jihong Zhu;Jian-jun Zhu;Degang Zhao;Zongshun Liu;D. Jiang;Yu-Tian Wang;Yang Hui
A GaN photodetector integrated structure for wavelength characterization of ultraviolet light
DOI： 10.1088/0268-1242/23/9/095021
发表时间： 2008-09
期刊： Semiconductor Science and Technology
影响因子： 1.9
作者： [D. G. Zhao;D. Jiang;J. Zhu;Z. Liu;S. Zhang;Hui Yang]
通讯作者： D. G. Zhao;D. Jiang;J. Zhu;Z. Liu;S. Zhang;Hui Yang
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
DOI： 10.1016/j.jallcom.2009.09.086
发表时间： 2010-01
期刊： Journal of Alloys and Compounds
影响因子： 6.2
作者： [Degang Zhao;D. Jiang;Jingkang Zhu;Hui Wang;Z. Liu;S. Zhang;Wang Yanguo;Q. Jia;Hui Yang]
通讯作者： Degang Zhao;D. Jiang;Jingkang Zhu;Hui Wang;Z. Liu;S. Zhang;Wang Yanguo;Q. Jia;Hui Yang
共 41 条
    GaN基大功率紫外(＜360纳米)激光器
    AlGaN基紫外双色探测器
    • 批准号：
      61574135
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      75.0万元
    • 批准年份：
      2015
    • 负责人：
      赵德刚
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    针对绿色激光器的InGaN量子点生长与性能调控
    • 批准号：
      61377020
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      85.0万元
    • 批准年份：
      2013
    • 负责人：
      赵德刚
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    国内基金
    海外基金