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原子层尺度上可控的铁电薄膜L-MBE制备及其光伏效应研究

批准号:
61076060
项目类别:
面上项目
资助金额:
38.0 万元
负责人:
杨平雄
依托单位:
学科分类:
半导体光电子器件与集成
结题年份:
2013
批准年份:
2010
项目状态:
已结题
项目参与者:
杨静、越方禹、田建军、孔慧、高婉丽、钱林勤

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
与传统半导体光伏效应不同,铁电薄膜因自发极化形成体内电场,光照铁电薄膜产生的电子-空穴对都能够被有效分离,同时,铁电薄膜也是热释电薄膜,光的热效应也能产生有效电动势,理论上具有大的光生伏特。材料的光伏效应是光伏器件的基础科学问题,制备高质量的样品是材料光伏效应研究的基础。本项目集中和系统研究高质量BiFeO3铁电薄膜的制备及其光伏效应;利用第一性原理研究铁电薄膜光伏效应机理以及电子-空穴对在铁电薄膜中的激发、分离、寿命、弛豫和传输等行为过程动力学的基础科学问题;研究BiFeO3铁电薄膜激光分子束外延(L-MBE)制备,重点研究单晶铁电薄膜的制备规律和在原子层尺度上可控的、可重复的铁电薄膜制备技术,建立铁电薄膜光生伏特与材料微结构、组分及生长工艺等的关系;采用深低温、强磁场等特殊的实验手段研究铁电薄膜中的光子、电子和空穴行为,为揭示铁电薄膜光伏效应机理提供实验证据。
英文摘要
系统地研究了原子尺度上可控的铁电薄膜L-MBE生长单晶薄膜的制备,掌握了单晶生长技术,获得其生长规律。成功地在SrTiO3衬底上同质外延SrTiO3、SrRuO3和BiFeO3 (BFO)单晶薄膜。使用高分辨率扫描透射电镜(STEM)研究了BiFeO3单晶薄膜的结构和生长机理,发现由于受到衬底的压应力,BiFeO3单晶薄膜的晶格常数为a=3.9156Å和c=4.0288Å(单晶块材a=c=3.97Å),有利于提高光伏特性,并且发现BiFeO3超薄单晶膜为台阶式生长。. 研究了铁电材料产生光伏效应,并选择SiO2介质材料,LaNiO3 (LNO)钙钛矿导电氧化物作为衬底材料,制备BFO薄膜,并测试其光伏性能。发现SiO2衬底上BFO薄膜在550℃退火,200 nm膜厚时,得到最大开路电压,Voc为2.4V。并且随着测试电极引脚距离的增加,开路电压呈现一个减小趋势。发现LNO衬底上BFO薄膜有着相对较好的薄膜质量和畴结构,得到更大的开路电压,并且随着测试电极引脚的距离的增加,薄膜的开路电压整体表现出上升的趋势,在550℃退火,200nm膜厚时,得到最大开路电压Voc为4.9V。研究了La掺杂BFO薄膜的开路电压,在5%,8% La摻杂的BFO薄膜表现出较大的开路电压。发现适当的离子掺杂能够提高薄膜的光伏性能。. 用第一性原理研究材料的光伏效应,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,结合广义梯度近似的交换关联势和杂化交换关联势,理论计算发现CZT(S,Se)4合金的形成能很低,使得通过连续变化成分调控其性质成为可能。计算发现不同交换关联近似计算的带隙都随Se成分的增多单调下降,有利于其受主缺陷态能级变浅,增加载流子浓度;发现硒化物较硫化物更易于被n型掺杂,因而在p型的光吸收层表面可能出现n型反型层,有利于光生电子-空穴对的分解,从而提高光伏效应。. 研究结果发表论文SCI/EI论文37篇,其中SCI收录34篇;申请专利8项,其中2项已授权;出版科普著作1部[十万个为什么(第六版)《能源与环境》,少年儿童出版社,2013];培养研究生8名。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI: 10.1016/j.jallcom.2013.02.115
发表时间: 2013-06
期刊: Journal of Alloys and Compounds
影响因子: 6.2
作者: [Fei Wang;Shanshan Zhu;Mai Li;Xuefeng Lou;K. Hui;Shaohui Xu;P. Yang;Lianwei Wang;Yiwei Chen]
通讯作者: Fei Wang;Shanshan Zhu;Mai Li;Xuefeng Lou;K. Hui;Shaohui Xu;P. Yang;Lianwei Wang;Yiwei Chen
Optical Property of the Co-doped La and Mg BiFeO3 Films Fabricated by Sol-gel Method
溶胶-凝胶法制备La、Mg共掺杂BiFeO3薄膜的光学性能
DOI: --
发表时间: 2012
期刊: Proc. of SPIE
影响因子: --
作者: [Lin Peng, Hongmei Deng, Jianjun Tian,et al]
通讯作者: Lin Peng, Hongmei Deng, Jianjun Tian,et al
Spin-related magnetoresistance oscillations in the inversion layer on bulk p-Hg1―xCdxTe
块体 p-Hg1―xCdxTe 反型层中与自旋相关的磁阻振荡
DOI: 10.1063/1.3590730
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [L. Shang, T. Lin, W. Z. Zhou, L. M. Wei, Y. F. Wei, Y. H. Sun, S. Guo, P. Yang, J. Chu]
通讯作者: J. Chu
Al1.3Sb3Te material for phase change memory application
用于相变存储器应用的Al1.3Sb3Te材料
DOI: 10.1063/1.3616146
发表时间: 2011-07-25
期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子: 4
作者: [Peng, Cheng, Song, Zhitang, Chu, Junhao]
通讯作者: Chu, Junhao
36
    窄禁带氧化物钙钛矿太阳电池研究
    • 批准号:
      61474045
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      85.0万元
    • 批准年份:
      2014
    • 负责人:
      杨平雄
    • 依托单位:
    铁电薄膜红外光限制效应及红外应用研究
    • 批准号:
      60677022
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      29.0万元
    • 批准年份:
      2006
    • 负责人:
      杨平雄
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金