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AlIn(Ga)N外延生长中的反应扩散问题

批准号:
61574134
项目类别:
面上项目
资助金额:
72.0 万元
负责人:
朱建军
学科分类:
半导体材料
结题年份:
2019
批准年份:
2015
项目状态:
已结题
项目参与者:
何晓光、杨静、李翔、王海

项目摘要

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项目成果

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中文摘要
本项目从斑图动力学理论的角度出发研究(Al,In,Ga)N材料外延生长表面的反应扩散问题。结合理论分析、计算机模拟和实验验证的方法,分析和研究(Al,In,Ga)N材料生长过程中表面形貌的演变和In组分在生长平面内以及生长方向上的空间分布,从而确定(Al,In,Ga)N材料的相分离发生的时间和方式,找到控制相分离的有效办法。从表面形貌演变研究中找到生长参数对微观物理过程的影响规律,探索生长表面In的时空分布对材料生长进程的影响。
英文摘要
Reaction-Diffusion problem happened on the growing surface of (Al,In,Ga)N will be investigated using dynamics of pattern formation. Multi methods, including theoretical analysis, numerical simulation, and experimental verification will be used to explore the evolution of surface morphologies and the spatio-temporal distribution of Indium during the growing process of (Al,In,Ga)N materials by MOCVD. Study on phase separation of (Al,In,Ga)N materials is the focus of this project, with the aim to find efficient approach of controlling and modifying the phase separation of (Al,In,Ga)N materials. The phase separation started at which stage of material preparation process and it evolved in what a way was two important subjects to be deeply analyzed in order to clarify the deterministic relationship between Indium distribution pattern and the growth conditions. Study on temporal evolution of surface morphology of growing surface will be conducted to probe the basic physical process happened on the growing surface. Effects of patterns formed on the surface on the growing process also will be investigated.
从表面(界面)生长的动力学标度理论和斑图动力学理论出发,在材料生长试验和材料表征测试基础上,结合理论分析,研究了InGaN材料生长过程中表面形貌的演变和In组分在生长平面内以及生长方向上的空间分布,分析了InGaN材料的相分离(或者说组分涨落)发生的时间和方式,初步找到了比较有效地控制相分离的办法。根据不同样品表面形貌异同性的分析,推测表面形貌演变过程,建立模型,分析了生长参数对微观物理过程的影响,为控制非平衡生长条件导致的无序效应所对应的生长模式找到了初步的方法。.项目基本培养了硕士生1名,博士生1名,课题组相关人员合作发表学术论文大于10篇,包括SCI收录和EI收录。在学术交流方面也做了大量的工作,和同行在材料生长设备的设计与制造、生长设备反应室的改进与优化、材料生长工艺的开发与研究、实验设计与实验分析技术的学习与提高、材料生长物理/化学过程分析与模型建立、材料表征技术、器件测试分析技术等方面进行了广泛的合作与交流,主要是通过专家指导、技术人员互派、专题会议组织、国内外学术会议等方式。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Influence of Indium Content on the Unintentional Background Doping and Device Performance of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Solar Cells
铟含量对InGaN/GaN多量子阱太阳能电池无意本底掺杂和器件性能的影响
DOI: 10.1109/jphotov.2017.2699199
发表时间: 2017
期刊: IEEE Journal of Photovoltaics
影响因子: 3
作者: [Liu Wei, Zhao Degang, Jiang Desheng, Chen Ping, Shi Dongping, Liu Zongshun, Zhu Jianjun, Yang Jing, Li Xiang, Liang Feng, Liu Shuangtao, Xing Yao, Long Heng, Li Mo]
通讯作者: Li Mo
DOI: 10.1088/1674-1056/26/1/017805
发表时间: 2017
期刊: Chinese Physics B
影响因子: 1.7
作者: [Li Xiang, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Yang Jing, Chen Ping, Liu Zong-Shun, Zhu Jian-Jun, Liu Wei, He Xiao-Guang, Li Xiao-Jing, Liang Feng, Liu Jian-Ping, Zhang Li-Qun, Yang Hui, Zhang Yuan-Tao, Du Guo-Tong, Long Heng, Li Mo]
通讯作者: Li Mo
Performance Enhanced by Inserting an InGaN/GaN Shallower-Quantum Well Layer in InGaN Based Green Laser Diodes
通过在 InGaN 基绿光激光二极管中插入 InGaN/GaN 浅量子阱层来增强性能
DOI: 10.1109/jphot.2017.2679719
发表时间: 2017-04-01
期刊: IEEE PHOTONICS JOURNAL
影响因子: 2.4
作者: [Yang, Jing, Zhao, Degang, Li, Mo]
通讯作者: Li, Mo
Increase of photogenerated carriers in thick quantum wells in InGaN solar cells verified by laser-assisted capacitance-voltage measurement
通过激光辅助电容电压测量验证 InGaN 太阳能电池厚量子阱中光生载流子的增加
DOI: 10.1088/2053-1591/aa6bcb
发表时间: 2017-04
期刊: Materials Research Express
影响因子: 2.3
作者: [Liu Wei, Zhao Degang, Jiang Desheng, Chen Ping, Shi Dongping, Liu Zongshun, Zhu Jianjun, Yang Jing, Li Xiang, Liang Feng, Liu Shuangtao, Xing Yao, Zhang Liqun, Li Mo, Zhang Jian]
通讯作者: Zhang Jian
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    富In条件下生长模式对AlInN晶体质量与光电性质的影响
    • 批准号:
      61176126
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      70.0万元
    • 批准年份:
      2011
    • 负责人:
      朱建军
    • 依托单位:
    AlInN材料的MOCVD生长与应用研究
    • 批准号:
      60576003
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      28.0万元
    • 批准年份:
      2005
    • 负责人:
      朱建军
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金