本项目主要研究通过研究生长条件对AlInN材料In组份、AlInN晶体质量等的影响探索这种材料的最优化MOCVD生长技术,获得高质量的不同In组份的AlInN材料。与此同时，利用各种可能的测试手段对AlInN材料晶格参数、位错种类、位错产生和演化等晶体性质以及带隙宽度、反射率和折射率、迁移率和载流子浓度等物理性质进行测试和分析。高质量的AlInN材料- 特别是和GaN晶格匹配的AlInN材料- 在高功率器件的应用方面，不论是发光二极管和激光二极管，还是调制掺杂场效应晶体管和HBT，作为一种晶格常数和带隙宽度都有很大可调范围的新的光学工程材料会有很大的发展空间,具有非常大的研究价值。所以，本项目还将对AlInN材料在GaN基器件尤其是蓝光激光器中的应用进行探索和研究。