AlInN材料的MOCVD生长与应用研究
批准号：
60576003
项目类别：
面上项目
资助金额：
28.0 万元
负责人：
朱建军
依托单位：
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2008
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
张书明、张立群、张爽、郭希、王建峰、刘卫、刘素英
项目摘要
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项目成果
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中文摘要
本项目主要研究通过研究生长条件对AlInN材料In组份、AlInN晶体质量等的影响探索这种材料的最优化MOCVD生长技术,获得高质量的不同In组份的AlInN材料。与此同时，利用各种可能的测试手段对AlInN材料晶格参数、位错种类、位错产生和演化等晶体性质以及带隙宽度、反射率和折射率、迁移率和载流子浓度等物理性质进行测试和分析。高质量的AlInN材料- 特别是和GaN晶格匹配的AlInN材料- 在高功率器件的应用方面，不论是发光二极管和激光二极管，还是调制掺杂场效应晶体管和HBT，作为一种晶格常数和带隙宽度都有很大可调范围的新的光学工程材料会有很大的发展空间,具有非常大的研究价值。所以，本项目还将对AlInN材料在GaN基器件尤其是蓝光激光器中的应用进行探索和研究。
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Temperature dependence of absorption edge in MOCVD grown GaN
MOCVD 生长的 GaN 吸收边缘的温度依赖性
MOCVD 生长的 GaN 吸收边缘的温度依赖性
DOI：
10.1007/s10854-007-9295-4
发表时间：
2007-05
期刊：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Fabrication and Optical Characterization of GaN-Based Nanopillar Light Emitting Diode
GaN 基纳米柱发光二极管的制造和光学表征
GaN 基纳米柱发光二极管的制造和光学表征
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure
金属/InGaN/GaN异质结结构的光电特性
金属/InGaN/GaN异质结结构的光电特性
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Stable multiplication gain in GaN p–i–n avalanche photodiodes with large device area
具有大器件面积的 GaN p-i-n 雪崩光电二极管具有稳定的倍增增益
具有大器件面积的 GaN p-i-n 雪崩光电二极管具有稳定的倍增增益
DOI：
10.1088/0022-3727/42/1/015108
发表时间：
2009-01
期刊：
草业学报
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
通过金属有机化学气相沉积在低温 GaN 缓冲层上生长的 AlGaN 薄膜中 Al 成分的变化
通过金属有机化学气相沉积在低温 GaN 缓冲层上生长的 AlGaN 薄膜中 Al 成分的变化
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.09.167
发表时间：
2008-12
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[Zhao, D. G., Jiang, D. S., Zhu, J. J., Liu, Z. S., Zhang, S. M., Yang, Hui, Jahn, U., Ploog, K. H.]
通讯作者：
Ploog, K. H.
共 23 条
AlIn(Ga)N外延生长中的反应扩散问题
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批准号：61574134
-
项目类别：面上项目
-
资助金额：72.0万元
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批准年份：2015
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负责人：朱建军
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依托单位：
富In条件下生长模式对AlInN晶体质量与光电性质的影响
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批准号：61176126
-
项目类别：面上项目
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资助金额：70.0万元
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批准年份：2011
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负责人：朱建军
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依托单位：
国内基金
海外基金