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胶束化方法和溅射沉积相结合制备c轴取向FePt纳米复合薄膜及其性质研究

批准号：
50601025
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
30.0 万元
负责人：
张兴旺
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
金属功能材料
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
陈晨龙、尹志岗、刘志凯、屈盛、高福宝、戴瑞煊、游经碧
关键词：
磁记录纳米颗粒FePt胶束化方法纳米复合薄膜

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中文摘要
L10结构的FePt具有大的磁晶各向异性能，小的超顺磁极限颗粒尺寸，成为新型超高密度磁存储介质材料研究的热点，引起了国内外的广泛关注。本项目中我们拟采用嵌段共聚物胶束化的方法制备FePt纳米颗粒有序阵列，经等离子体刻蚀去除颗粒表面包覆的聚合物，并"原位"离子束溅射沉积一层非磁性材料，最后进行热退火得到L10相FePt纳米复合薄膜。我们提出的方法既具有化学方法的优势（纳米颗粒尺寸分散度小、分布均匀，颗粒大小、形状和间距容易控制）；又通过溅射沉积使FePt纳米颗粒分散在非磁性基质中，从而解决了退火过程中颗粒长大及颗粒间磁交换耦合作用问题；还提出通过非磁性基质和在等离子体刻蚀及退火过程中引入磁场来控制FePt纳米颗粒的c轴取向。因此，该项目的实施，有望得到能实际应用于超高密度信息存储的FePt纳米复合薄膜，对磁性金属纳米颗粒的基础研究和超高密度信息存储介质材料的实际应用都有着十分重要的意义。
英文摘要
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Effects of the morphology of ZnO/Ag interface on the surface-plasmon-enhanced emission of ZnO films
ZnO/Ag界面形貌对ZnO薄膜表面等离子体增强发射的影响
DOI： 10.1088/0022-3727/41/20/205101
发表时间： 2008-10
期刊： Journal of Physics D-Applied Physics
影响因子： 3.4
作者： [Fan, Y. M., Zhang, X. W., Cai, P. F., Chen, N. F., Yin, Z. G., You, J. B.]
通讯作者： You, J. B.
Enhancement of field emission of the ZnO film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment
通过氢等离子体处理降低功函数和提高电导率，增强 ZnO 薄膜的场致发射
DOI： 10.1063/1.3167301
发表时间： 2009-06-29
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [You, J. B., Zhang, X. W., Yan, H.]
通讯作者： Yan, H.
Quasi-hexagonal ordered arrays of FePt nanoparticles prepared by a micellar method
DOI： 10.1088/0256-307x/24/12/063
发表时间： 2007-12
期刊： Chinese Physics Letters
影响因子： 3.5
作者： [Qu Sheng;Zhang Xingwang;Yin Zhigang;You Jingbi;Chen Nuo-fu]
通讯作者： Qu Sheng;Zhang Xingwang;Yin Zhigang;You Jingbi;Chen Nuo-fu
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
氢等离子体后处理提高ZnO薄膜的导电率和透光率
DOI： 10.1063/1.3108543
发表时间： 2009-04-15
期刊： JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 3.2
作者： [Cai, P. F., You, J. B., Chen, N. F.]
通讯作者： Chen, N. F.
共 9 条
    2D/3D堆叠结构六方氮化硼单光子发射器的制备与性能研究
    • 批准号：
      52473268
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      48.00万元
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      张兴旺
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    过渡金属硫族化合物范德华异质结激子特性及其红外探测器研究
    • 批准号：
      62274151
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      59万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      张兴旺
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    基于二维h-BN中间层的HfS2远程外延生长及器件应用研究
    • 批准号：
      61874106
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      63.0万元
    • 批准年份：
      2018
    • 负责人：
      张兴旺
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    化合物半导体材料空间微重力生长与性质研究
    • 批准号：
      U1738114
    • 项目类别：
      联合基金项目
    • 资助金额：
      130.0万元
    • 批准年份：
      2017
    • 负责人：
      张兴旺
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
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    海外基金