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表面等离激元增强ZnO基器件紫外电致发光研究

批准号：
60876031
项目类别：
面上项目
资助金额：
36.0 万元
负责人：
张兴旺
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
半导体光电子器件与集成
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
尹志岗、李全宁、游经碧、范亚明、高云、董敬敬
关键词：
表面等离激元电致发光ZnO异质结

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中文摘要
ZnO基发光器件在信息、光通信、白光照明、医学以及生物等领域具有广泛的应用前景，是当前半导体材料与器件研究的热点。由于ZnO本征缺陷，p型掺杂困难使得空穴浓度不高，ZnO的自吸收以及全反射损失等，使得目前ZnO基发光器件的发光效率普遍较低。我们拟在n-ZnO/AlN(或ZnMgO)/p-GaN结构上覆盖一层Ag/Al合金薄膜，利用金属表面等离激元与ZnO近带边发射的耦合作用，加快ZnO近带边辐射跃迁速率，抑制缺陷复合发光及其它非辐射过程，提高体系内量子效率；同时光从金属层出射，避免了半导体材料的自吸收及全反射损失，从而提高器件的光抽取效率。此外，在异质结中引入一宽带隙的电子势垒层，可以把复合过程限制在n-ZnO一侧。通过该项目的实施，我们期望能研制出ZnO基室温高效紫外电致发光器件，进一步探明表面等离激元增强发光的机理，提供一条解决ZnO及其它半导体材料低发光效率的可行途径。
英文摘要
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Enhanced electroluminescence from ZnO‐based heterojunction light‐emitting diodes by hydrogen plasma treatment
DOI： 10.1002/pssr.201004497
发表时间： 2011-02
期刊： physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters
影响因子： --
作者： [S. G. Zhang;X. W. Zhang;J. X. Wang;J. You;Z. Yin;J. Dong;B. Cui;A. Wowchak;A. Dabiran]
通讯作者： S. G. Zhang;X. W. Zhang;J. X. Wang;J. You;Z. Yin;J. Dong;B. Cui;A. Wowchak;A. Dabiran
Electroluminescence behavior of ZnO/Si heterojunctions: Energy band alignment and interfacial microstructure
ZnO/Si 异质结的电致发光行为：能带排列和界面微观结构
DOI： 10.1063/1.3385384
发表时间： 2010-04-15
期刊： JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 3.2
作者： [You, J. B., Zhang, X. W., Chu, Paul K.]
通讯作者： Chu, Paul K.
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
氢等离子体后处理提高ZnO薄膜的导电率和透光率
DOI： 10.1063/1.3108543
发表时间： 2009-04-15
期刊： JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 3.2
作者： [Cai, P. F., You, J. B., Chen, N. F.]
通讯作者： Chen, N. F.
Controllable Growth of Highly Ordered ZnO Nanorod Arrays via Inverted Self-Assembled Monolayer Template
通过反向自组装单层模板可控生长高度有序的 ZnO 纳米棒阵列
DOI： 10.1021/am2010288
发表时间： 2011-11-01
期刊： ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
影响因子： 9.5
作者： [Dong, J. J., Zhang, X. W., Gao, H. L.]
通讯作者： Gao, H. L.
共 12 条
    2D/3D堆叠结构六方氮化硼单光子发射器的制备与性能研究
    • 批准号：
      52473268
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      48.00万元
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      张兴旺
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    过渡金属硫族化合物范德华异质结激子特性及其红外探测器研究
    • 批准号：
      62274151
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      59万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      张兴旺
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    基于二维h-BN中间层的HfS2远程外延生长及器件应用研究
    • 批准号：
      61874106
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      63.0万元
    • 批准年份：
      2018
    • 负责人：
      张兴旺
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    化合物半导体材料空间微重力生长与性质研究
    • 批准号：
      U1738114
    • 项目类别：
      联合基金项目
    • 资助金额：
      130.0万元
    • 批准年份：
      2017
    • 负责人：
      张兴旺
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
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