课题基金 / 基金详情

InGaAlN四元系材料生长及其短波长发光机理研究

批准号：
60276010
项目类别：
面上项目
资助金额：
20.0 万元
负责人：
于彤军
依托单位：
北京大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2005
批准年份：
2002
项目状态：
已结题
项目参与者：
吴名枋、丁晓民、秦志新、杨志坚、李忠辉、陆曙、周劲、胡成余
关键词：
铟镓铝氮短波长发光量子阱..

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
短波长发光材料和器件有着广泛而迫切的应用需求。本项研究，运用MOCVD技术在蓝宝石衬底上，生长InGaAIN四元系量子阱结构，系统研究InGaAIN生长过程和发光特性，探讨高质量InGaAIN四元系合金短波长发光层生长方法；研究AHnGaN多量子阱结构所特有的短波长发光机理，为实现高效率的短波长发光器件提供基础。
英文摘要
高透过率大尺寸氮化铝单晶衬底制备
  • 批准号：
    62234003
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    283万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    于彤军
  • 依托单位：
    北京大学
AlGaN基深紫外LED光出射机制及其调控方法研究
  • 批准号：
    61774008
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    63.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    于彤军
  • 依托单位：
    北京大学
GaN纳米异质外延生长及其在发光器件中的应用
  • 批准号：
    61376012
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    于彤军
  • 依托单位：
    北京大学
AlInN基新型异质结构制备和极化、输运性质研究
  • 批准号：
    61076012
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    46.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    于彤军
  • 依托单位：
    北京大学
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