短波长发光材料和器件有着广泛而迫切的应用需求。本项研究，运用MOCVD技术在蓝宝石衬底上，生长InGaAIN四元系量子阱结构，系统研究InGaAIN生长过程和发光特性，探讨高质量InGaAIN四元系合金短波长发光层生长方法；研究AHnGaN多量子阱结构所特有的短波长发光机理，为实现高效率的短波长发光器件提供基础。