课题基金 / 基金详情

GaN基异质结构的光学偏振问题及其控制

批准号：
60676032
项目类别：
面上项目
资助金额：
32.0 万元
负责人：
于彤军
依托单位：
北京大学
学科分类：
半导体光电子器件与集成
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
潘尧波、贾传宇、胡成余、商树萍、康香宁、穆森、杨海艳、阎和平
关键词：
发光器件异质结构GaN偏振

项目摘要

结项摘要

项目成果

于彤军的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
GaN基发光器件在固态照明光源、液晶显示背光源及光调制器中有良好的应用前景，提高发光效率和光导出效率、制备偏振控制发光器件的研究，是具有重要应用意义的发光材料和器件物理研究。本项目通过对AlInGaN、InGaN、AlGaN异质结和多量子阱结构的荧光偏振特性的研究，分析AlInGaN、InGaN、AlGaN能带结构和偏振选择发光跃迁过程，明确GaN基异质结构中影响偏振选择发光跃迁过程及光学偏振特性的主要因素和作用机制，明确不同偏振态的光在晶体中传播规律和衰减规律，尝试通过发光器件的结构设计和出光面结构设计，实施偏振发光和传播控制，为提高光导出效率和制备高度偏振的GaN基发光器件提供基础。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Influence of growth rate on structural and optical properties of AlInGaN quaternary epilayers
生长速率对AlInGaN四元外延层结构和光学性能的影响
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.150
发表时间： 2007
期刊： Journal of crystal grwoth
影响因子： --
作者： [Yang, Zhijian, Hu, Xiaodong, Yao, Shude, Pan, Yaobo, Wang, Kun, Qin, Zhixin, Zhang, Guoyi, Yu, Tongjun, Wang, Huan]
通讯作者： Wang, Huan
Strain effects on the polarized optical properties of InGaN with different In compositions
DOI： 10.1088/1674-1056/18/6/080
发表时间： 2009
期刊： Chinese Physics B
影响因子： 1.7
作者： [Tao Ren-Chun;Yu Tong-Jun;Jia Chuan-Yu;Chen Zhi-zhong;Qin Zhi-Xin;Zhang Guo-yi]
通讯作者： Tao Ren-Chun;Yu Tong-Jun;Jia Chuan-Yu;Chen Zhi-zhong;Qin Zhi-Xin;Zhang Guo-yi
Magnetic and magneto-transport properties of Ga1−xMnxN grown by MOCVD
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.04.029
发表时间： 2007-07
期刊： Journal of Crystal Growth
影响因子： 1.8
作者： [Xuelin Yang;Z. Chen;Jiejun Wu;Yaobo Pan;Yan Zhang;Zhijian Yang;T. Yu;Guoyi Zhang]
通讯作者： Xuelin Yang;Z. Chen;Jiejun Wu;Yaobo Pan;Yan Zhang;Zhijian Yang;T. Yu;Guoyi Zhang
Effects of V/III ratio on species diffusion anisotropy in the MOCVD growth of non-polar a-plane GaN films
非极性a面GaN薄膜MOCVD生长中V/III比对物质扩散各向异性的影响
DOI： 10.1088/1674-1056/19/1/018101
发表时间： 2010
期刊： Chinese Physics B
影响因子： 1.7
作者： [Zhao Lu-Bing, Yu Tongjun, Zhijian Yang, Guoyi Zhang, Tao Dai, Wu Jie-Jun]
通讯作者： Wu Jie-Jun
共 31 条
    高透过率大尺寸氮化铝单晶衬底制备
    • 批准号：
      62234003
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      283万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      于彤军
    • 依托单位：
      北京大学
    AlGaN基深紫外LED光出射机制及其调控方法研究
    • 批准号：
      61774008
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      63.0万元
    • 批准年份：
      2017
    • 负责人：
      于彤军
    • 依托单位：
      北京大学
    GaN纳米异质外延生长及其在发光器件中的应用
    • 批准号：
      61376012
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      80.0万元
    • 批准年份：
      2013
    • 负责人：
      于彤军
    • 依托单位：
      北京大学
    AlInN基新型异质结构制备和极化、输运性质研究
    • 批准号：
      61076012
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      46.0万元
    • 批准年份：
      2010
    • 负责人：
      于彤军
    • 依托单位：
      北京大学
    国内基金
    海外基金