GaN基发光器件在固态照明光源、液晶显示背光源及光调制器中有良好的应用前景，提高发光效率和光导出效率、制备偏振控制发光器件的研究，是具有重要应用意义的发光材料和器件物理研究。本项目通过对AlInGaN、InGaN、AlGaN异质结和多量子阱结构的荧光偏振特性的研究，分析AlInGaN、InGaN、AlGaN能带结构和偏振选择发光跃迁过程，明确GaN基异质结构中影响偏振选择发光跃迁过程及光学偏振特性的主要因素和作用机制，明确不同偏振态的光在晶体中传播规律和衰减规律，尝试通过发光器件的结构设计和出光面结构设计，实施偏振发光和传播控制，为提高光导出效率和制备高度偏振的GaN基发光器件提供基础。