基于低温原子氧化的SiC MOSFET低界面态栅氧制造技术研究
批准号：
--
项目类别：
面上项目
资助金额：
57 万元
负责人：
王盛凯
依托单位：
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
--
批准年份：
2021
项目状态：
未结题
项目参与者：
王盛凯
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