课题基金基金详情
基于低温原子氧化的SiC MOSFET低界面态栅氧制造技术研究
批准号：
--
项目类别：
面上项目
资助金额：
57 万元
负责人：
王盛凯
依托单位：
中国科学院微电子研究所
学科分类：
--
结题年份：
--
批准年份：
2021
项目状态：
未结题
项目参与者：
王盛凯
关键词：
低温原子氧化栅氧制造技术低界面态SiCMOSFET
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基于有效离子半径理论的SiC MOSFET栅介质与界面配位调控研究
Ge-MOS技术中镧系复合高k介质与GeO2/Ge界面调控的研究
  • 批准号：
    61204103
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    31.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    王盛凯
  • 依托单位：
    中国科学院微电子研究所
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