半导体纳米线在纳米科技的研究体系中占有重要地位。国际半导体纳米线研究的发展要求能够对纳米线的形貌、尺寸、结构、取向与掺杂等关键参数进行可靠调控，实现控制性生长。以GaN为代表的Ⅲ族氮化物 (GaN、AlN、InN) 纳米线在纳米光电器件中有广阔的应用前景。本项目拟对Ga、Al、In的氮化物及其合金和径向异质结纳米线开展可控生长和物性研究工作。系统地研究控制纳米线形貌、尺寸、结构、组分、生长位置、取向等关键参数的生长技术，认识生长机理，掌握调控规律，制备出高质量的GaN、AlN和InN纳米线以及带隙可调的Ga1-xAlxN、Ga1-xInxN合金纳米线和GaN/Ga1-xAlxN、GaN/Ga1-xInxN等新型径向异质结纳米线，获得制备具有特定组分和结构的GaN基纳米线的可靠方法，对生长得到的纳米线进行深入物性分析，研究微结构与物性的关系。为GaN基纳米线的器件化应用打下基础。