近年来，随着信息产业的高速发展，电子元器件向高频化，小型化，薄膜化，集成化的方向发展，这一发展趋势，要求应用于其中的磁性薄膜材料具有GHz频段良好的软磁性能，而软磁性能的好坏不仅取决于材料的内禀矫顽力、饱和磁化强度，而且跟材料的磁各向异性密切相关。本项目以高饱和磁化强度的FeCo,FeNi，FeN系列软磁合金薄膜为研究对象，通过激光图形化、调控应力、倾斜溅射、外加磁场多种方法调控其矫顽力和磁各向异性，从而达到调控其高频性能的目的，在此基础上，我们进一步研究了样品中出现的畴结构演化、畴壁动力学及其条纹畴对微波场的响应，获得了一系列有意义的研究结果。对沉积于ITO衬底上的FeCo基系列薄膜中，我们通过激光刻线的方法，改变刻线间距、刻线方向，实现了共振频率可向高频、低频方向调控的目标（1GHz~8GHz），在此基础上，我们建立了适用于条纹阵列薄膜的物理模型，推导出了响应的计算公式，并对样品磁性参数的实验值和理论值进行了比较，两者符合的很好。对于倾斜溅射制备的FeN薄膜中，N2含量为5%时的样品软磁性能最好，随着溅射角度从3度到32度之间变化，共振频率可从2.87 GHz到6.05 GHz之间可调。对柔性衬底上的FeCo薄膜，我们通过改变弯曲曲率实现各向异性的调控，在不需要施加诱导场的情况下，产生的应力各向异性场可以达到170 Oe，相应的共振频率可以达到4.8GHz。仅通过在电化学沉积过程中施加变化的磁场的方法，我们也可以实现FeCo薄膜共振频率在0.8~4.0GHz之间调控。在对FeNi系列薄膜生长过程中出现的条纹畴结构的研究中，我们发现当微波磁场的方向垂直条纹畴时，其共振模式主要是声学支模式，其动态各向异性场的大小分别为44 Oe（120 nm）, 87 Oe (160 nm), 91 Oe( 200 nm); 而当微波场方向平行条纹畴时，光学模式被激发，而且随着垂直的外加静态磁场的变化，两个模式均出现，但是不同厚度的薄膜声学支激发所需要的外磁场的大小不同。以上这些研究，对高频软磁薄膜材料微结构、各向异性、畴结构演化及高频性能调控提供了详细的参考数据。