快速软恢复SiGeC/Si异质结功率二极管的研究
批准号：
50477012
项目类别：
面上项目
资助金额：
24.0 万元
负责人：
高勇
依托单位：
学科分类：
电力电子学
结题年份：
2007
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
余明斌、杨媛、陈曦、马丽、安涛、张如亮
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项目成果
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中文摘要
基于SiGeC/Si异质结构理论分析，建立SiGeC/Si功率二极管器件模型和工艺模型，并运用于器件模拟软件MEDICI和工艺模拟软件SUPREM-4中，为新器件和工艺设计提供可靠的模拟仿真手段；针对电力电子技术对功率二极管快速软恢复特性愈来愈高的要求，提出SiGeC/Si快速软恢复功率二极管器件的新结构，通过模拟分析SiGeC/Si异质结材料结构对器件各电参数的影响因素，尤其是通过Ge含量调节和C含量的补偿，寻找综合参数优化的器件结构与工艺参数，实现优异的存贮电荷Q、通态电压Vf和反向漏电流Ir 折衷，得到优良的快速软恢复特性；通过工艺模拟手段探索合适的掺碳工艺和器件工艺条件，制定出简单易行的SiGeC/Si异质结功率二极管工艺流程和实施方案。该研究将对利用SiGeC/Si异质结构制作高性能功率器件和功率集成电路开辟新的途径。
英文摘要
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DOI：
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发表时间：
--
期刊：
微电子学，2007, vol.37，No.5, p619-623
影响因子：
--
作者：
[高勇, 黄媛媛, 刘静]
通讯作者：
刘静
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
固体电子学研究与进展，已录用
影响因子：
--
作者：
[刘静, 高勇, 王彩琳, 马丽]
通讯作者：
马丽
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
固体电子学研究与进展，已录用
影响因子：
--
作者：
[马丽, 高勇, 刘静, 余明斌]
通讯作者：
余明斌
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
微电子学，2005, vol.35，No.5, p527-530
影响因子：
--
作者：
[高勇, 刘静, 马丽]
通讯作者：
马丽
A Novel Ideal Ohmic Contact Si
一种新型理想欧姆接触硅
一种新型理想欧姆接触硅
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Liu Jing, Gao Yong, Yang Yuan,]
通讯作者：
Liu Jing, Gao Yong, Yang Yuan,
共 10 条
半超结硅锗功率开关二极管的研究
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批准号：51177133
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项目类别：面上项目
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资助金额：60.0万元
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批准年份：2011
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负责人：高勇
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依托单位：
阳极注入效率可控的(IEC)GCT新结构及其关键技术研究
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批准号：50877066
-
项目类别：面上项目
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资助金额：35.0万元
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批准年份：2008
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负责人：高勇
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依托单位：
国内基金
海外基金