阳极注入效率可控的(IEC)GCT新结构及其关键技术研究
批准号：
50877066
项目类别：
面上项目
资助金额：
35.0 万元
负责人：
高勇
依托单位：
学科分类：
电力电子学
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
王彩琳、安涛、张如亮、刘静、孙永生、孙丞
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
针对新型电力半导体器件高电压、大电流的需求，提出一种阳极注入效率可控的(IEC)GCT结构，它既有优良的器件特性，又有简单的制作工艺。首先对IEC-GCT器件在高压大电流条件下的工作机理尤其是高温特性进行规律性探索，建立高温特性分析的模型；移植到器件与工艺模拟软件ISE中，并对IEC-GCT结构在高温下的动、静态特性进行深入的分析与优化设计；采用一种改进的GCT门-阴极图形设计一套IEC-GCT管芯制作的光刻版图；对器件的关键技术进行研究，探索IEC-GCT阳极多层金属化电极的制作方法及其工艺条件，确定IEC-GCT结构的工艺实施方案。为在国内现有的工艺水平下制作大功率GCT器件提供一个简单可行的技术途径。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
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专利列表
DOI：
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发表时间：
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期刊：
固体电子学研究与进展
影响因子：
--
作者：
[高勇, 苏翠, 王彩琳, 张如亮]
通讯作者：
张如亮
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
西安理工大学学报
影响因子：
--
作者：
[王彩琳, 马丽, 高勇, 张如亮]
通讯作者：
张如亮
半超结硅锗功率开关二极管的研究
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批准号：51177133
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项目类别：面上项目
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资助金额：60.0万元
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批准年份：2011
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负责人：高勇
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依托单位：
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批准号：50477012
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项目类别：面上项目
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资助金额：24.0万元
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批准年份：2004
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负责人：高勇
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依托单位：
国内基金
海外基金