基于π形栅的p-GaN HEMT阈值电压负向漂移抑制技术研究
批准号：
62374003
项目类别：
面上项目
资助金额：
55 万元
负责人：
王茂俊
依托单位：
北京大学
学科分类：
F.信息科学部
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
王茂俊
关键词：
负向漂移π形栅阈值电压
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基于介电弛豫时间模型的硅基GaN功率开关器件动态导通电阻特性及控制技术研究
  • 批准号：
    61774002
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    58.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    王茂俊
  • 依托单位：
    北京大学
硅基GaN功率开关器件阻断特性的研究
  • 批准号：
    61204099
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    28.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    王茂俊
  • 依托单位：
    北京大学
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