基于π形栅的p-GaN HEMT阈值电压负向漂移抑制技术研究
批准号:
62374003
项目类别:
面上项目
资助金额:
55 万元
负责人:
王茂俊
依托单位:
学科分类:
半导体电子器件与集成
结题年份:
--
批准年份:
2023
项目状态:
未结题
项目参与者:
王茂俊
基于介电弛豫时间模型的硅基GaN功率开关器件动态导通电阻特性及控制技术研究
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批准号:61774002
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项目类别:面上项目
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资助金额:58.0万元
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批准年份:2017
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负责人:王茂俊
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依托单位:
硅基GaN功率开关器件阻断特性的研究
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批准号:61204099
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:28.0万元
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批准年份:2012
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负责人:王茂俊
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依托单位:
国内基金
海外基金